[發明專利]一種軸向封裝的恒流二極管

有效

• 申請號: 202010794480.9
• 申請日: 2020-08-10
• 公開（公告）號: CN111725327B
• 公開（公告）日: 2023-03-17
• 發明（設計）人: 周明;伍林;潘海巖;顧禮建
• 申請（專利權）人: 江蘇明芯微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/861
• 分類號: H01L29/861;H01L23/367
• 代理公司: 南通德恩斯知識產權代理有限公司 32698
• 代理人: 丁桂紅

1.一種軸向封裝的恒流二極管，包括襯底（1），其特征在于：所述襯底（1）的頂部設置有基底（2），所述基底（2）的內部開設有安裝槽（3），所述安裝槽（3）的內部設置有安裝塊（4），所述基底（2）的內部嵌設有量子阱（5），所述量子阱（5）位于安裝塊（4）的下方，所述量子阱（5）的內部設置有半導體層（6），所述安裝塊（4）頂部的左側固定安裝有第一金屬電極（7），所述安裝塊（4）頂部的右側設置有第二金屬電極（8），所述基底（2）的頂部覆蓋有第一掩膜層（9），所述第一掩膜層（9）的表面嵌設有第二掩膜層（10），且第二掩膜層（10）呈對稱分布，所述第一金屬電極（7）和第二金屬電極（8）延伸至第二掩膜層（10）的頂部，所述基底（2）的背面設置有第一保護罩（11），所述基底（2）的正面設置有第二保護罩（12），所述第一保護罩（11）和第二保護罩（12）的連接處設置有固定機構（13），所述固定機構（13）分別位于第一保護罩（11）的左右兩側，且固定機構（13）呈對稱分布；

所述第一保護罩（11）和第二保護罩（12）的內壁均設置有導熱硅脂，且第一保護罩（11）和第二保護罩（12）與基底（2）之間緊密貼合，所述第二保護罩（12）的正面開設有標識槽（15）。

2.根據權利要求1所述的一種軸向封裝的恒流二極管，其特征在于：所述固定機構（13）包括固定板（131）、連接柱（132）、連接板（133）和通孔（134），所述固定板（131）焊接于第一保護罩（11）的中間位置，且固定板（131）呈對稱分布，所述連接柱（132）焊接于固定板（131）的正面，所述連接板（133）栓接于第二保護罩（12）的左右兩側，所述通孔（134）開設于連接板（133）的表面，所述連接柱（132）位于通孔（134）的內部并與通孔（134）的內壁滑動連接。

3.根據權利要求1所述的一種軸向封裝的恒流二極管，其特征在于：所述第一金屬電極（7）為正電極，所述第二金屬電極（8）為負電極，且第一金屬電極（7）和第二金屬電極（8）的表面做鍍銅處理，所述第一金屬電極（7）和第二金屬電極（8）的表面均設置有限位塊（14），且限位塊（14）呈對稱分布。

4.根據權利要求1所述的一種軸向封裝的恒流二極管，其特征在于：所述襯底（1）由半導體材料制得，所述基底（2）采用硅晶體材料制成，所述基底（2）的表層設置有硅外延層，且硅外延層做氧化處理，所述基底（2）和襯底（1）的外側設置有絕緣膜。

5.根據權利要求1所述的一種軸向封裝的恒流二極管，其特征在于：所述量子阱（5）由離子注入安裝槽（3）并經過加熱形成，所述量子阱（5）的中間設置有半導體膜，且量子阱（5）的外側設置有隔離層。

6.根據權利要求1所述的一種軸向封裝的恒流二極管，其特征在于：所述半導體層（6）為P型半導體和N型半導體燒結形成的PN結，且半導體層（6）與安裝塊（4）之間設置有經過硅化處理的金屬層。

7.根據權利要求1所述的一種軸向封裝的恒流二極管，其特征在于：所述第一掩膜層（9）為三氧化二鋁層，所述第二掩膜層（10）為二氧化硅層，且第二掩膜層（10）與第一金屬電極（7）和第二金屬電極（8）的表面貼合，所述第一掩膜層（9）和第二掩膜層（10）的接合處采用環氧樹脂做密封處理。