[發(fā)明專利]一種軸向封裝的恒流二極管

有效

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• 申請日: 2020-08-10
• 公開（公告）號: CN111725327B
• 公開（公告）日: 2023-03-17
• 發(fā)明（設計）人: 周明;伍林;潘海巖;顧禮建
• 申請（專利權(quán)）人: 江蘇明芯微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/861
• 分類號: H01L29/861;H01L23/367
• 代理公司: 南通德恩斯知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32698
• 代理人: 丁桂紅

本發(fā)明涉及恒流二極管技術領域，尤其為一種軸向封裝的恒流二極管，包括襯底，所述襯底的頂部設置有基底，所述基底的內(nèi)部開設有安裝槽，所述安裝槽的內(nèi)部設置有安裝塊，所述基底的內(nèi)部嵌設有量子阱，所述量子阱位于安裝塊的底部，所述量子阱的內(nèi)部設置有半導體層；本發(fā)明通過襯底、基底、半導體層、第一金屬電極、第一保護罩、第二保護罩和固定機構(gòu)的設置，具有便于安裝使用、導電性能良好，可以有效增加散熱效果，提高電壓承受范圍，進而能夠延長使用壽命的優(yōu)點，解決了目前使用的恒流二極管功能單一、結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性較差，恒流二極管的散熱效果較差，導致恒流二極管容易因過熱損壞，且電壓承受范圍較小的問題。

技術領域

本發(fā)明涉及恒流二極管技術領域，具體為一種軸向封裝的恒流二極管。

背景技術

恒流源是一種常用的電子設備和裝置，在電子線路中使用相當廣泛。恒流源用于保護整個電路，即使出現(xiàn)電壓不穩(wěn)定或負載電阻變化很大的情況，都能確保供電電流的穩(wěn)定。恒流二極管是近年來問世的半導體恒流器件，正向?qū)ǎ聪蚪刂故嵌O管的正向特性。由于恒流二極管的恒流性能好、結(jié)構(gòu)簡單、使用方便、成本低廉，因此廣泛應用于LED、半導體激光器，以及其他需要恒電流供電驅(qū)動的場合。軸向封裝，是一種封裝形式，適合于小功率PCB電路安裝。

目前使用的恒流二極管功能單一、結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性較差，恒流二極管的散熱效果較差，導致恒流二極管容易因過熱損壞，且電壓承受范圍較小，從而給恒流二極管的使用帶來了不便，為此我們提出一種便于安裝使用、導電性能良好，可以有效增加散熱效果，提高電壓承受范圍，進而能夠延長使用壽命的恒流二極管來解決此問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種軸向封裝的恒流二極管，具備便于安裝使用、導電性能良好，可以有效增加散熱效果，提高電壓承受范圍，進而能夠延長使用壽命的優(yōu)點，解決了目前使用的恒流二極管功能單一、結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性較差，恒流二極管的散熱效果較差，導致恒流二極管容易因過熱損壞，且電壓承受范圍較小的問題。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術方案：一種軸向封裝的恒流二極管，包括襯底，所述襯底的頂部設置有基底，所述基底的內(nèi)部開設有安裝槽，所述安裝槽的內(nèi)部設置有安裝塊，所述基底的內(nèi)部嵌設有量子阱，所述量子阱位于安裝塊的底部，所述量子阱的內(nèi)部設置有半導體層，所述安裝塊頂部的左側(cè)固定安裝有第一金屬電極，所述安裝塊頂部的右側(cè)設置有第二金屬電極，所述基底的頂部覆蓋有第一掩膜層，所述第一掩膜層的表面嵌設有第二掩膜層，且第二掩膜層呈對稱分布，所述第一金屬電極和第二金屬電極貫穿至第二掩膜層的頂部，所述基底的背面設置有第一保護罩，所述基底的正面設置有第二保護罩，所述第一保護罩和第二保護罩的連接處設置有固定機構(gòu)，所述固定機構(gòu)分別位于第一保護罩的左右兩側(cè)，且固定機構(gòu)呈對稱分布。

優(yōu)選的，所述固定機構(gòu)包括固定板、連接柱、連接板和通孔，所述固定板焊接于第一保護罩的中間位置，且固定板呈對稱分布，所述連接柱焊接于固定板的正面，所述連接板栓接于第二保護罩的左右兩側(cè)，所述通孔開設于連接板的表面，所述連接柱位于通孔的內(nèi)部并與通孔的內(nèi)壁滑動連接。

優(yōu)選的，所述第一金屬電極為正電極，所述第二金屬電極為負電極，且第一金屬電極和第二金屬電極的表面做鍍銅處理，所述第一金屬電極和第二金屬電極的表面均設置有限位塊，且限位塊呈對稱分布。

優(yōu)選的，所述第一保護罩和第二保護罩的內(nèi)壁均設置有導熱硅脂，且第一保護罩和第二保護罩與基底之間緊密貼合，所述第二保護罩的正面開設有標識槽。

優(yōu)選的，所述襯底由半導體材料制得，所述基底采用硅晶體材料制成，所述基底的表層設置有硅外延層，且硅外延層做氧化處理，所述基底和襯底的外側(cè)設置有絕緣膜。

優(yōu)選的，所述量子阱由離子注入安裝槽并經(jīng)過加熱形成，所述量子阱的中間設置有半導體膜，且量子阱的外側(cè)設置有隔離層。

優(yōu)選的，所述半導體層為P型半導體和N型半導體燒結(jié)形成的PN結(jié)，且半導體層與安裝塊之間設置有經(jīng)過硅化處理的金屬層。