[發明專利]熱處理方法和熱處理裝置

在審

• 申請號: 202010794218.4
• 申請日: 2020-08-10
• 公開（公告）號: CN112420510A
• 公開（公告）日: 2021-02-26
• 發明（設計）人: 松浦廣行
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/324
• 分類號: H01L21/324;H01L21/67
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;劉芃茜

本發明提供熱處理方法和熱處理裝置。本發明的一個方式的熱處理方法包括：在基片上形成膜中氫濃度為5×10¹⁹atoms/cm³以上的非晶硅膜的步驟；和通過對上述基片照射微波，以對上述非晶硅膜進行加熱而從上述非晶硅膜形成多晶硅膜的步驟。本發明能夠形成大粒徑的多晶硅膜。

技術領域

本發明涉及熱處理方法和熱處理裝置。

背景技術

已知有通過對基片上照射微波，以對形成于基片上的非晶半導體膜進行退火，由非晶半導體膜形成多晶半導體膜的技術(例如，參照專利文獻1)。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2012-234864號公報

發明內容

發明要解決的技術問題

本發明提供一種能夠形成大粒徑的多晶硅膜的技術。

用于解決技術問題的技術方案

本發明的一個方式的熱處理方法包括：在基片上形成膜中氫濃度為5×10¹⁹atoms/cm³以上的非晶硅膜的步驟；和通過對上述基片照射微波，以對上述非晶硅膜進行加熱而從上述非晶硅膜形成多晶硅膜的步驟。

發明效果

依照本發明，能夠形成大粒徑的多晶硅膜。

附圖說明

圖1是表示熱處理裝置的一例的圖。

圖2是表示一實施方式的熱處理裝置的動作的一例的流程圖。

圖3是表示a-Si膜的結晶化狀態的圖。

圖4是表示a-Si膜的膜中氫濃度與結晶化的活化能的相關性的圖。

圖5是表示評價對膜中氫濃度為1×10²⁰atoms/cm³的a-Si膜進行微波加熱時的結晶性的結果的圖。

圖6是表示評價對膜中氫濃度為5×10¹⁹atoms/cm³的a-Si膜進行微波加熱時的結晶性的結果的圖。

圖7是表示評價對膜中氫濃度為3×10¹⁹atoms/cm³的a-Si膜進行微波加熱時的結晶性的結果的圖。

圖8是表示評價對膜中氫濃度為1×10²⁰atoms/cm³的a-Si膜進行電阻加熱時的結晶性的結果的圖。

附圖標記說明

10 處理容器

13 晶舟

16 氣體供給管

24 電阻發熱體

27 微波導入部

90 控制部。

具體實施方式

以下，參照附圖，對本發明的非限定性的例示的實施方式進行說明。在所附的所有附圖中，對相同或者相應的部件或零件，標注相同或相應的附圖標記，并省略重復的說明。

[熱處理裝置]

參照圖1，對一實施方式的熱處理裝置進行說明。圖1是表示熱處理裝置的一例的圖。圖1所示的熱處理裝置是一次對多個基片進行熱處理的批量式的裝置。