[發明專利]熱處理方法和熱處理裝置

在審

• 申請號: 202010794218.4
• 申請日: 2020-08-10
• 公開（公告）號: CN112420510A
• 公開（公告）日: 2021-02-26
• 發明（設計）人: 松浦廣行
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/324
• 分類號: H01L21/324;H01L21/67
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;劉芃茜

1.一種熱處理方法，其特征在于，包括：

在基片上形成膜中氫濃度為5×10¹⁹atoms/cm³以上的非晶硅膜的步驟；和

通過對所述基片照射微波，以加熱所述非晶硅膜而從所述非晶硅膜形成多晶硅膜的步驟。

2.如權利要求1所述的熱處理方法，其特征在于，還包括：

在所述形成多晶硅膜的步驟前，利用電阻發熱體的發熱對所述基片進行加熱的步驟。

3.如權利要求1或2所述的熱處理方法，其特征在于：

所述形成多晶硅膜的步驟中，在利用電阻發熱體的發熱加熱了所述基片的狀態下對所述基片照射微波。

4.如權利要求1至3中任一項所述的熱處理方法，其特征在于：

所述微波的頻率為20GHz～100GHz。

5.如權利要求1至4中任一項所述的熱處理方法，其特征在于：

所述膜中氫濃度在1×10²⁰atoms/cm³以上。

6.一種熱處理裝置，其特征在于，包括：

能夠減壓的處理容器；

對所述處理容器的內部供給氣體的氣體供給部；

設置在所述處理容器的周圍的第1加熱部，其利用電阻發熱體的發熱對收納于所述處理容器的內部的基片進行加熱；和

通過從所述處理容器的外部照射微波以加熱所述基片的第2加熱部。

7.如權利要求6所述的熱處理裝置，其特征在于：

所述處理容器收納以擱架狀保持于基片保持件的多個基片。

8.如權利要求7所述的熱處理裝置，其特征在于：

所述微波的頻率為20GHz～100GHz。