[發(fā)明專利]堆疊結(jié)構(gòu)及其制造方法、3D NAND存儲(chǔ)器及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010793736.4
• 申請(qǐng)日: 2020-08-10
• 公開（公告）號(hào): CN112071851B
• 公開（公告）日: 2023-09-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孔翠翠;吳林春;周文犀
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): H10B43/10
• 分類號(hào): H10B43/10;H10B43/27;H10B43/35
• 代理公司: 北京漢之知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11479
• 代理人: 高園園

1.一種用于形成3D?NAND存儲(chǔ)器的堆疊結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供襯底，所述襯底在第一方向和第二方向上延伸形成襯底表面；

在所述襯底表面形成沿垂直于所述襯底表面的第三方向堆疊的底部疊層；

在所述底部疊層中形成多個(gè)阻擋環(huán)，所述阻擋環(huán)在所述底部疊層中間隔分布；

在所述底部疊層上形成沿所述第三方向堆疊的堆疊結(jié)構(gòu)，所述堆疊結(jié)構(gòu)包括依次層疊的絕緣層和犧牲層；

在所述堆疊結(jié)構(gòu)中形成在所述第三方向上貫穿所述堆疊結(jié)構(gòu)的多個(gè)橋接柱，在所述第三方向上，所述橋接柱與所述阻擋環(huán)一一對(duì)應(yīng)，并且所述橋接柱的底部對(duì)應(yīng)的底部疊層區(qū)域被所述阻擋環(huán)環(huán)繞。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的堆疊結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，在所述襯底表面形成沿垂直于所述襯底表面的第三方向堆疊的底部疊層還包括以下步驟：

在所述襯底上形成阻擋層；

在所述阻擋層上方依次形成第一半導(dǎo)體層、源極犧牲層以及第二半導(dǎo)體層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的堆疊結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，在所述底部疊層中形成阻擋環(huán)，還包括以下步驟：

在所述底部疊層中形成多個(gè)環(huán)形溝槽，多個(gè)所述環(huán)形溝槽在所述第一方向上間隔排列；

在所述環(huán)形溝槽中填充絕緣材料。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的堆疊結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，在所述堆疊結(jié)構(gòu)中形成在所述第三方向上貫穿所述堆疊結(jié)構(gòu)的多個(gè)橋接柱，還包括以下步驟：

形成在所述第三方向上貫穿所述堆疊結(jié)構(gòu)的多個(gè)通孔，多個(gè)所述通孔與多個(gè)所述阻擋環(huán)一一對(duì)應(yīng)；

在所述通孔中填充絕緣材料。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的堆疊結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述第一半導(dǎo)體層、所述源極犧牲層以及所述第二半導(dǎo)體層為具有不同摻雜濃度的多晶硅層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的堆疊結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述橋接柱在所述第三方向上的投影面積小于所述阻擋環(huán)所環(huán)繞的區(qū)域在所述第三方向上的投影面積。

7.一種3D?NAND存儲(chǔ)器制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

采用權(quán)利要求1-6中任意一項(xiàng)所述的堆疊結(jié)構(gòu)的制造方法在襯底上形成堆疊結(jié)構(gòu)；

形成在所述第三方向上貫穿所述堆疊結(jié)構(gòu)的陣列排布的溝道結(jié)構(gòu)；

在所述堆疊結(jié)構(gòu)中形成在第三方向上貫穿所述堆疊結(jié)構(gòu)的柵線縫隙，所述柵線縫隙在第一方向上與多個(gè)橋接柱對(duì)齊地延伸并且被所述橋接柱斷開，所述柵線縫隙的底部形成在阻擋環(huán)內(nèi)；

替換底部疊層中的源極犧牲層形成源極層；

在所述堆疊結(jié)構(gòu)中形成字線層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的3D?NAND存儲(chǔ)器制造方法，其特征在于，在所述堆疊結(jié)構(gòu)中形成在第三方向上貫穿所述堆疊結(jié)構(gòu)的柵線縫隙，包括沿所述第三方向刻蝕所述堆疊結(jié)構(gòu)至所述襯底上的至少部分底部疊層以暴露所述源極犧牲層。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的3D?NAND存儲(chǔ)器制造方法，其特征在于，還包括以下步驟：

在所述柵線縫隙的側(cè)壁上形成第二間隔層；

在所述柵線縫隙中形成與所述源極層連通的共源極。

10.一種用于形成3D?NAND存儲(chǔ)器的堆疊結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

襯底，所述襯底在第一方向和第二方向上延伸形成襯底表面；

形成在所述襯底表面沿垂直于所述襯底表面的第三方向堆疊的底部疊層；

形成在所述底部疊層中的多個(gè)阻擋環(huán)，所述阻擋環(huán)在所述底部疊層中間隔分布；

形成在所述底部疊層上沿所述第三方向堆疊的堆疊結(jié)構(gòu)，所述堆疊結(jié)構(gòu)包括依次層疊的絕緣層和犧牲層；

形成在所述堆疊結(jié)構(gòu)中在所述第三方向上貫穿所述堆疊結(jié)構(gòu)的多個(gè)橋接柱，在所述第三方向上，所述橋接柱與所述阻擋環(huán)一一對(duì)應(yīng)，并且所述橋接柱的底部對(duì)應(yīng)的底部疊層區(qū)域被所述阻擋環(huán)環(huán)繞。