[發明專利]晶圓測試方法和裝置、計算機存儲介質及計算機設備有效
| 申請號: | 202010790708.7 | 申請日: | 2020-08-07 |
| 公開(公告)號: | CN112967942B | 公開(公告)日: | 2023-03-10 |
| 發明(設計)人: | 楊富可;楊浩;張嘉修 | 申請(專利權)人: | 重慶康佳光電技術研究院有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240 | 代理人: | 周春枚 |
| 地址: | 402760 重慶市璧*** | 國省代碼: | 重慶;50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 測試 方法 裝置 計算機 存儲 介質 設備 | ||
本發明涉及一種晶圓測試方法及裝置、計算機存儲介質及計算機設備。該測試方法包括:確定待測試的晶圓;采用標準點測機從晶圓中抽測目標數量的晶粒,得到第一測試數據;通過工作點測機對晶圓中的每顆晶粒進行測試,得到第二測試數據;基于第一測試數據和第二測試數據,確定晶圓測試過程是否出現異常,從而及時發現晶圓測試過程中是否出現異常,以確保測試站的良率的技術效果。
技術領域
本發明涉及測試技術領域,尤其涉及晶圓測試方法和裝置、計算機存儲介質及計算機設備。
背景技術
在正常的工藝流程中,晶圓在切割研磨后會到達測試站,經過測試站后到達分選以及后續站點,但如果晶圓在點測站點測過程中出現異常是很難在當站及時發現的,要等到最后工序進行質量抽樣檢測時才能發現,在質量抽樣發現出點測有異常時,晶圓已經經過分選變成方片,由點測之后所有工序都要進行返工重測,分選還要進行清機動作,浪費人力,物力,時間及成本,導致測試站的良率較低。因此,如何及時發現晶圓測試過程中是否出現異常,以確保測試站的良率是亟需解決的問題。
發明內容
鑒于上述現有技術的不足,本申請的目的在于提供晶圓測試方法和裝置、計算機存儲介質及計算機設備,旨在解決現有技術中難以及時發現晶圓測試過程中是否出現異常的技術問題。
本申請還提供一種晶圓測試方法,該測試方法包括:確定待測試的晶圓;采用標準點測機從所述晶圓中抽測目標數量的晶粒,得到第一測試數據;通過工作點測機對所述晶圓中的每顆晶粒進行測試,得到第二測試數據;基于所述第一測試數據和第二測試數據,確定晶圓測試過程是否出現異常。
通過上述步驟,解決了現有技術中難以及時發現晶圓測試過程中是否出現異常的技術問題,通過采用標準點測機對晶圓中的晶粒進行抽測,工作點測機對所述晶圓中的晶粒進行全測,將抽測數據和全測數據進行比較,及時確定出晶圓測試過程是否出現異常,以便及時采取相應策略解決異常情況,確保測試站的良率。
可選地,基于所述第一測試數據和第二測試數據,確定晶圓測試過程是否出現異常包括:若所述第一測試數據與第二測試數據的差異超過卡控范圍,確定晶圓測試過程出現異常;若所述第一測試數據與第二測試數據的差異未超過所述卡控范圍,確定晶圓測試過程未出現異常。
可選地,在確定晶圓測試過程出現異常之后,所述方法還包括:依據所述第一測試數據與第二測試數據,確定晶圓測試過程中是所述工作點測機異常還是人為造成的異常;若是測試過程中所述工作點測機異常,則對所述工作點測機進行調整;若是測試過程中人為造成的異常,則重新通過所述工作點測機對所述晶圓中的每顆晶粒進行測試。
可選地,所述第一測試數據中至少包括:被抽測晶粒的坐標,以及被抽測晶粒的第一亮度值、第一電壓值和第一波長,所述第二測試數據中至少包括:每顆晶粒的坐標,以及每顆晶粒的第二亮度值、第二電壓值和第二波長,在基于所述第一測試數據和第二測試數據,確定晶圓測試過程是否出現異常之前,所述方法包括:計算所述第一測試數據中所有被抽測晶粒的第一亮度值的均值,第一電壓值的均值和第一波長的均值;計算所述第二測試數據中與第一測試數據中相同坐標的所有晶粒的第二亮度值的均值,第二電壓值的均值和第二波長的均值;基于所述第一亮度值的均值和所述第二亮度值的均值的比值,所述第一電壓值的均值和所述第二電壓值的均值的差值,所述第一波長的均值和所述第二波長的均值的差值,確定晶圓測試過程是否出現異常。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





