[發明專利]晶圓測試方法和裝置、計算機存儲介質及計算機設備有效
| 申請號: | 202010790708.7 | 申請日: | 2020-08-07 |
| 公開(公告)號: | CN112967942B | 公開(公告)日: | 2023-03-10 |
| 發明(設計)人: | 楊富可;楊浩;張嘉修 | 申請(專利權)人: | 重慶康佳光電技術研究院有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240 | 代理人: | 周春枚 |
| 地址: | 402760 重慶市璧*** | 國省代碼: | 重慶;50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 測試 方法 裝置 計算機 存儲 介質 設備 | ||
1.一種晶圓測試方法,其特征在于,包括:
確定待測試的晶圓;
采用標準點測機從所述晶圓中抽測目標數量的晶粒,得到第一測試數據,其中,所述第一測試數據中至少包括:被抽測晶粒的第一波長;
通過工作點測機對所述晶圓中的每顆晶粒進行測試,得到第二測試數據,其中,所述第二測試數據中至少包括:每顆晶粒的第二波長;
基于所述第一測試數據和第二測試數據,確定晶圓測試過程是否出現異常;
其中,在確定晶圓測試過程出現異常之后,所述方法還包括:
根據所述第一波長和所述第二波長的分布情況,確定晶圓測試過程中是所述工作點測機異常還是人為造成的異常。
2.如權利要求1所述的晶圓測試方法,其特征在于,基于所述第一測試數據和第二測試數據,確定晶圓測試過程是否出現異常包括:
若所述第一測試數據與第二測試數據的差異超過卡控范圍,確定晶圓測試過程出現異常;
若所述第一測試數據與第二測試數據的差異未超過所述卡控范圍,確定晶圓測試過程未出現異常。
3.如權利要求2所述的晶圓測試方法,其特征在于,在確定晶圓測試過程出現異常之后,所述方法還包括:
依據所述第一測試數據與第二測試數據,確定晶圓測試過程中是所述工作點測機異常還是人為造成的異常;
若是測試過程中所述工作點測機異常,則對所述工作點測機進行調整;
若是測試過程中人為造成的異常,則重新通過所述工作點測機對所述晶圓中的每顆晶粒進行測試。
4.如權利要求1所述的晶圓測試方法,其特征在于,所述第一測試數據中至少包括:被抽測晶粒的坐標,以及被抽測晶粒的第一亮度值、第一電壓值和第一波長,所述第二測試數據中至少包括:每顆晶粒的坐標,以及每顆晶粒的第二亮度值、第二電壓值和第二波長,在基于所述第一測試數據和第二測試數據,確定晶圓測試過程是否出現異常之前,所述方法包括:
計算所述第一測試數據中所有被抽測晶粒的第一亮度值的均值,第一電壓值的均值和第一波長的均值;
計算所述第二測試數據中與第一測試數據中相同坐標的所有晶粒的第二亮度值的均值,第二電壓值的均值和第二波長的均值;
基于所述第一亮度值的均值和所述第二亮度值的均值的比值,所述第一電壓值的均值和所述第二電壓值的均值的差值,所述第一波長的均值和所述第二波長的均值的差值,確定晶圓測試過程是否出現異常。
5.如權利要求4所述的晶圓測試方法,其特征在于,基于所述第一亮度值的均值和所述第二亮度值的均值的比值,所述第一電壓值的均值和所述第二電壓值的均值的差值,所述第一波長的均值和所述第二波長的均值的差值,確定晶圓測試過程是否出現異常包括:
若所述第一亮度值的均值和所述第二亮度值的均值的比值小于第一閾值范圍,所述第一電壓值的均值和所述第二電壓值的均值的差值小于第二閾值范圍,且所述第一波長的均值和所述第二波長的均值的差值小于第三閾值范圍,則確定晶圓測試過程未出現異常;
若所述第一亮度值的均值和所述第二亮度值的均值的比值不小于所述第一閾值范圍,或,所述第一電壓值的均值和所述第二電壓值的均值的差值不小于所述第二閾值范圍,或,所述第一波長的均值和所述第二波長的均值的差值不小于所述第三閾值范圍,則確定晶圓測試過程出現異常。
6.如權利要求4所述的晶圓測試方法,其特征在于,
在計算所述第一測試數據中所有被抽測晶粒的第一亮度值的均值,第一電壓值的均值和第一波長的均值之前,所述方法還包括:
比較每個被抽測晶粒的第一亮度值和第二亮度值的差值,第一電壓值和第二電壓值的差值,第一波長和第二波長的差值;挑選出第一亮度值和第二亮度值的比值不超過第四閾值范圍,第一電壓值和第二電壓值的差值不超過第五閾值范圍,且第一波長和第二波長的差值不超過第六閾值范圍的晶粒;
計算所述第一測試數據中所有被抽測晶粒的第一亮度值的均值,第一電壓值的均值和第一波長的均值包括:計算所有挑選出的晶粒的第一亮度值的均值,第一電壓值的均值和第一波長的均值。
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H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





