[發明專利]一種薄硅片的制作方法

在審

• 申請號: 202010789873.0
• 申請日: 2020-08-07
• 公開（公告）號: CN111785611A
• 公開（公告）日: 2020-10-16
• 發明（設計）人: 陳峰;陳振泉
• 申請（專利權）人: 廈門陸遠科技有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/683
• 代理公司: 泉州市博一專利事務所(普通合伙) 35213
• 代理人: 方傳榜

本發明公開了一種薄硅片的制作方法，涉及硅片加工領域，包括以下步驟：用拋光機臺對硅片的第一面先進行拋光；對硅片進行清洗檢查；在硅片的第一面貼上保護膜；對硅片的第二面進行研磨減薄；清除硅片上的保護膜；用貼蠟機將硅片的第一面貼至輔助硅片上，形成復合硅片；再對復合硅片上硅片的第二面進行拋光、清洗檢驗、脫蠟處理和清洗甩干。本發明的有益效果：本發明從拋光機臺，拋光液，清洗方法，使用輔助硅片、蠟、uv藍膜等多方面進行制造工藝的全面改進，可以生產出更薄的硅片，并且提高薄硅片的質量，加快生成速度，降低生產成本。

技術領域

本發明涉及硅片加工領域，更具體地說是指一種薄硅片的制作方法。

背景技術

集成電路芯片不斷向高密度、高性能和輕薄短小方向發展,為滿足IC封裝要求,越來越多的薄芯片將會出現在封裝中。此外薄芯片可以提高器件在散熱、機械等方面的性能,降低功率器件的電阻。因此,薄硅片的地位越來越重要。雖然半導體器件中的硅片目前已經做得很薄，但依舊不能滿足某些特殊使用的要求，比如后道加工完成再進行減薄工藝勢必會影響產品質量以及成品率，因此，市場迫切需要一種能夠加工出更薄硅基材的制造工藝，以保證后道加工的成品率。

發明內容

本發明提供的一種薄硅片的制作方法，其目的在于現有技術中存在的上述問題。

本發明采用的技術方案如下：

一種薄硅片的制作方法，包括以下步驟：（1）、用拋光機臺對硅片的第一面進行拋光；（2）、在硅片的第一面貼上保護膜；（3）、對硅片的第二面進行研磨加工，使硅片減薄；（4）、清除硅片上的保護膜；（5）、用貼蠟機將硅片的第一面貼至輔助硅片上，形成復合硅片；（6）用拋光機臺的精拋墊對復合硅片上硅片的第二面進行拋光清洗；（7）對硅片進行脫蠟處理。

進一步，所述步驟（1）中，使用雙面拋光工藝進行拋光，且拋光機臺的上、下盤分別使用細拋墊和粗拋墊，并用粗拋墊和細拋光墊依次加工硅片的第一面。

進一步，所述步驟（1）中，拋光機臺所用的拋光液為添加有分散劑TX-10的硅溶膠拋光液。

更進一步，所述步驟（1）中，將將添加有分散劑TX-10的硅溶膠拋光液的PH值調高到11～12進行使用。

進一步，所述步驟（1）和步驟（2）之間還包括以下步驟：對硅片進行清洗和檢驗，即將從拋光機臺取出的硅片先進入清水降溫并清除大部分的拋光液；然后將硅片放入10%的乙酸溶液中，進行酸堿中和反應；待檢驗員進行檢驗時，將硅片放入0.5%的氫氟酸和1%乙酸混合液洗液中清洗，再使用純水沖洗。

進一步，所述步驟（6）的拋洗清洗中，耗材主要為18兆純水和10%濃度拋光液，去除研磨后細微的磨痕。

進一步，還包括步驟（8）：對硅片進行清洗，即使用10%溶度鹽酸、5%的雙氧水混合溶液去除金屬離子，再用超純水清洗；使用5%的氨水，5%雙氧水混合液去除有機物，再用超純水清洗；使用10%氫氟酸，5%硝酸，5%冰醋酸混合液去除氧化層，再用超純水清洗。

進一步，還包括步驟（9）：對硅片進行烘干并包裝，即將硅片放入離心甩干機進行甩干，再烘干；然后將硅片裝盒并抽真空，再使用PE塑料袋通入氮氣包裝。

進一步，所述步驟（6）中，將拋光機臺的拋光液使用溫度控制在30°以內。

和現有的技術相比，本發明的優點在于：

本發明從拋光機臺，拋光液，清洗方法，使用輔助硅片、蠟、uv藍膜等多方面進行制造工藝的全面改進，可以生產出更薄的硅片，并且提高薄硅片的質量，加快生成速度，降低生產成本。

具體實施方式

下面說明本發明的具體實施方式。為了全面理解本發明，下面描述到許多細節，但對于本領域技術人員來說，無需這些細節也可實現本發明。