[發明專利]一種薄硅片的制作方法

在審

• 申請號: 202010789873.0
• 申請日: 2020-08-07
• 公開（公告）號: CN111785611A
• 公開（公告）日: 2020-10-16
• 發明（設計）人: 陳峰;陳振泉
• 申請（專利權）人: 廈門陸遠科技有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/683
• 代理公司: 泉州市博一專利事務所(普通合伙) 35213
• 代理人: 方傳榜

1.一種薄硅片的制作方法,其特征在于，包括以下步驟：（1）、用拋光機臺對硅片的第一面進行拋光清洗；（2）、在硅片的第一面貼上保護膜；（3）、對硅片的第二面進行研磨加工，使硅片減薄；（4）、清除硅片上的保護膜；（5）、用貼蠟機將硅片的第一面貼至輔助硅片上，形成復合硅片；（6）用拋光機臺的精拋墊對復合硅片上硅片的第二面進行拋光清洗；（7）對硅片進行脫蠟處理。

2.根據權利要求1所述的一種薄硅片的制作方法,其特征在于：所述步驟（1）中，使用雙面拋光工藝進行拋光，且拋光機臺的上、下盤分別使用細拋墊和粗拋墊，并用粗拋墊和細拋光墊依次加工硅片的第一面。

3.根據權利要求1所述的一種薄硅片的制作方法,其特征在于：所述步驟（1）中，拋光機臺所用的拋光液為添加有分散劑TX-10的硅溶膠拋光液。

4.根據權利要求3所述的一種薄硅片的制作方法,其特征在于：所述步驟（1）中，將添加有分散劑TX-10的硅溶膠拋光液的PH值調高到11～12進行使用。

5.根據權利要求1所述的一種薄硅片的制作方法,其特征在于，所述步驟（1）和步驟（2）之間還包括以下步驟：對硅片進行清洗和檢驗，即將從拋光機臺取出的硅片先進入清水降溫并清除大部分的拋光液；然后將硅片放入10%的乙酸溶液中，進行酸堿中和反應；待檢驗員進行檢驗時，將硅片放入0.5%的氫氟酸和1%乙酸混合液洗液中清洗，再使用純水沖洗。

6.根據權利要求1所述的一種薄硅片的制作方法,其特征在于：所述步驟（6）的拋光清洗中，耗材主要為18兆純水和10%濃度拋光液，去除研磨后細微的磨痕。

7.根據權利要求1所述的一種薄硅片的制作方法,其特征在于：還包括步驟（8）：對硅片進行清洗，即使用10%溶度鹽酸、5%的雙氧水混合溶液去除金屬離子，再用超純水清洗；使用5%的氨水，5%雙氧水混合液去除有機物，再用超純水清洗；使用10%氫氟酸，5%硝酸，5%冰醋酸混合液去除氧化層，再用超純水清洗。

8.根據權利要求7所述的一種薄硅片的制作方法,其特征在于：還包括步驟（9）：對硅片進行烘干并包裝，即將硅片放入離心甩干機進行甩干，再烘干；然后將硅片裝盒并抽真空，再使用PE塑料袋通入氮氣包裝。

9.根據權利要求1所述的一種薄硅片的制作方法,其特征在于：所述步驟（2）中的保護膜為uv藍膜。

10.根據權利要求1所述的一種薄硅片的制作方法,其特征在于：所述步驟（6）中，將拋光機臺的拋光液使用溫度控制在30°以內。