[發明專利]固態鋁電解電容器中導電聚合物膜的制備方法在審
| 申請號: | 202010789634.5 | 申請日: | 2020-08-07 |
| 公開(公告)號: | CN111816447A | 公開(公告)日: | 2020-10-23 |
| 發明(設計)人: | 陳宇澄;杜學軍;潘素清 | 申請(專利權)人: | 萬裕三信電子(東莞)有限公司 |
| 主分類號: | H01G9/025 | 分類號: | H01G9/025;H01G9/15 |
| 代理公司: | 北京五洲洋和知識產權代理事務所(普通合伙) 11387 | 代理人: | 張向琨 |
| 地址: | 523857 廣東省*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 固態 鋁電解電容器 導電 聚合物 制備 方法 | ||
本公開提供一種固態鋁電解電容器中導電聚合物膜的制備方法,包括以下步驟:步驟S1,提供化成鋁箔;步驟S2,將化成鋁箔含浸還原液中,取出并烘干;步驟S3,將經過步驟S2處理的化成鋁箔含浸氧化液中,取出并烘干;步驟S4,將步驟S2和步驟S3作為整體重復多次之后,下料并直接對化成鋁箔烘烤30?40min;步驟S5,對經過步驟S4處理的化成鋁箔進行清洗,完成固態鋁電解電容器中導電聚合物膜的制備;其中,所述氧化液包括氧化劑,所述氧化劑包括過硫酸銨、過硫酸鈉、高錳酸鉀中的至少一種;在步驟S4中,烘烤溫度高于所述氧化劑的分解溫度。通過本公開的制備方法獲得的導電聚合物膜在鋁箔的表面成型性好,并且能夠解決殘留氧化劑對鋁箔的腐蝕。
技術領域
本公開涉及一種固態鋁電解電容器中導電聚合物膜的制備方法。
背景技術
電容器是一類基本的電子元件,廣泛適用于各種電子產品中。固態鋁電解電容器是是近幾十年來隨著電子產品對高頻特性要求的不斷提高,而發展起來的一類新型電解電容器。在現代通信、計算機、高性能民用及軍事電子產品中有著廣泛的應用。
固態鋁電解電容器是近幾十年來隨著電子產品對高頻特性要求的不斷提高,而發展起來的一類新型電解電容器。在現代通信、計算機、高性能民用及軍事電子產品中有著廣泛的應用。固態鋁電解電容器相比于液態鋁電解電容器,利用導電聚合物代替液態電解液,所制備的電容器具有更穩定的性能。
上文的說明僅是提供背景技術,并未承認上文的“背景技術”構成本公開的現有技術。
發明內容
在一些實施例中,本公開提供了一種固態鋁電解電容器中導電聚合物膜的制備方法,包括以下步驟:步驟S1,提供化成鋁箔;步驟S2,將化成鋁箔含浸還原液中,取出并烘干;步驟S3,將經過步驟S2處理的化成鋁箔含浸氧化液中,取出并烘干;步驟S4,將步驟S2和步驟S3作為整體重復多次之后,下料并直接對化成鋁箔烘烤30-40min;步驟S5,對經過步驟S4處理的化成鋁箔進行清洗,完成固態鋁電解電容器中導電聚合物膜的制備;其中,所述氧化液包括氧化劑,所述氧化劑包括過硫酸銨、過硫酸鈉、高錳酸鉀中的至少一種;在步驟S4中,烘烤溫度高于所述氧化劑的分解溫度。
在一些實施例中,所述氧化劑為過硫酸銨或過硫酸鈉。
在一些實施例中,所述氧化液還包括摻雜劑;所述摻雜劑包括烷基磺酸鹽、烷基萘磺酸鹽或烷基苯磺酸鹽中的至少一種。
在一些實施例中,所述氧化液還包括助劑;所述助劑包括陰離子型表面活性劑、非離子型表面活性劑、兩性表面活性劑、復配表面活性劑中的至少一種。
在一些實施例中,所述還原液包括聚合物單體;所述聚合物單體包括吡咯、N-甲基吡咯、N-乙基吡咯、3-辛酰基吡咯、噻吩、3,4-乙撐二氧噻吩、3-甲氧基噻吩、3-戊氧基噻吩、苯胺、4-叔丁基苯胺、N-丁基苯胺或鄰甲氧基苯胺中的至少一種。
在一些實施例中,所述聚合物單體選自吡咯、N-甲基吡咯、N-乙基吡咯、3-辛酰基吡咯、噻吩、3,4-乙撐二氧噻吩、3-甲氧基噻吩、3-戊氧基噻吩中的至少一種。
在一些實施例中,在步驟S2中,烘干溫度為30-50℃,烘干時間為0.5-5min;在步驟S3中,烘干溫度為30-50℃,烘干時間為0.5-5min。
在一些實施例中,在步驟S2中,化成鋁箔含浸還原液的時間為0.5-3min;在步驟S3中,化成鋁箔含浸氧化液的時間為0.5-3min。
在一些實施例中,在步驟S4中,烘烤溫度高出所述氧化劑的分解溫度10-20℃。
在一些實施例中,在步驟S4中,烘烤后導電聚合物膜中殘留氧化劑的分解率為80%-90%。
具體實施方式
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