[發明專利]固態鋁電解電容器中導電聚合物膜的制備方法

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• 申請號: 202010789634.5
• 申請日: 2020-08-07
• 公開（公告）號: CN111816447A
• 公開（公告）日: 2020-10-23
• 發明（設計）人: 陳宇澄;杜學軍;潘素清
• 申請（專利權）人: 萬裕三信電子（東莞）有限公司
• 主分類號: H01G9/025
• 分類號: H01G9/025;H01G9/15
• 代理公司: 北京五洲洋和知識產權代理事務所(普通合伙) 11387
• 代理人: 張向琨

1.一種固態鋁電解電容器中導電聚合物膜的制備方法，包括以下步驟：

步驟S1，提供化成鋁箔；

步驟S2，將化成鋁箔含浸還原液中，取出并烘干；

步驟S3，將經過步驟S2處理的化成鋁箔含浸氧化液中，取出并烘干；

步驟S4，將步驟S2和步驟S3作為整體重復多次之后，下料并直接對化成鋁箔烘烤30-40min；

步驟S5，對經過步驟S4處理的化成鋁箔進行清洗，完成固態鋁電解電容器中導電聚合物膜的制備；

其中，

所述氧化液包括氧化劑，所述氧化劑包括過硫酸銨、過硫酸鈉、高錳酸鉀中的至少一種；

在步驟S4中，烘烤溫度高于所述氧化劑的分解溫度。

2.根據權利要求1所述的固態鋁電解電容器中導電聚合物膜的制備方法，其中，

所述氧化劑為過硫酸銨或過硫酸鈉。

3.根據權利要求1所述的固態鋁電解電容器中導電聚合物膜的制備方法，其中，

所述氧化液還包括摻雜劑；

所述摻雜劑包括烷基磺酸鹽、烷基萘磺酸鹽或烷基苯磺酸鹽中的至少一種。

4.根據權利要求1所述的固態鋁電解電容器中導電聚合物膜的制備方法，其中，

所述氧化液還包括助劑；

所述助劑包括陰離子型表面活性劑、非離子型表面活性劑、兩性表面活性劑、復配表面活性劑中的至少一種。

5.根據權利要求1所述的固態鋁電解電容器中導電聚合物膜的制備方法，其中，

所述還原液包括聚合物單體；

所述聚合物單體包括吡咯、N-甲基吡咯、N-乙基吡咯、3-辛酰基吡咯、噻吩、3,4-乙撐二氧噻吩、3-甲氧基噻吩、3-戊氧基噻吩、苯胺、4-叔丁基苯胺、N-丁基苯胺或鄰甲氧基苯胺中的至少一種。

6.根據權利要求1所述的固態鋁電解電容器中導電聚合物膜的制備方法，其中，

所述聚合物單體選自吡咯、N-甲基吡咯、N-乙基吡咯、3-辛?；量?、噻吩、3,4-乙撐二氧噻吩、3-甲氧基噻吩、3-戊氧基噻吩中的至少一種。

7.根據權利要求1所述的固態鋁電解電容器中導電聚合物膜的制備方法，其中，

在步驟S2中，烘干溫度為30-50℃，烘干時間為0.5-5min；

在步驟S3中，烘干溫度為30-50℃，烘干時間為0.5-5min。

8.根據權利要求1所述的固態鋁電解電容器中導電聚合物膜的制備方法，其中，

在步驟S2中，化成鋁箔含浸還原液的時間為0.5-3min；

在步驟S3中，化成鋁箔含浸氧化液的時間為0.5-3min。

9.根據權利要求1所述的固態鋁電解電容器中導電聚合物膜的制備方法，其中，

在步驟S4中，烘烤溫度高出所述氧化劑的分解溫度10-20℃。

10.根據權利要求1所述的固態鋁電解電容器中導電聚合物膜的制備方法，其中，

在步驟S4中，烘烤后導電聚合物膜中殘留氧化劑的分解率為80％-90％。