[發明專利]對集成電路進行ESD防護的方法在審
| 申請號： | 202010786981.2 | 申請日： | 2020-08-07 |
| 公開（公告）號： | CN111900158A | 公開（公告）日： | 2020-11-06 |
| 發明（設計）人： | 顧大元;胡忠偉;韓玲玲;喬暢君;孫可平 | 申請（專利權）人： | 深圳市中明科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/02 | 分類號： | H01L27/02;G01R31/00;G01R31/40 |
| 代理公司： | 北京衛智暢科專利代理事務所(普通合伙) 11557 | 代理人： | 陳佳 |
| 地址： | 518103 廣東省深圳市寶安區福永*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 集成電路 進行 esd 防護 方法 | ||
1.一種對集成電路進行ESD防護的方法，其特征在于，包括：
選用至少一ESD失效模型對各個類型的電源隔離結構分別進行ESD失效試驗；
根據ESD失效試驗結果獲得ESD失效與電源系統分布電容的相關性；
基于所述ESD失效與電源系統分布電容的相關性，對所述集成電路中的電源隔離結構進行結構設計；
利用設計后的電源隔離結構對所述集成電路進行ESD防護。
2.如權利要求1所述的對集成電路進行ESD防護的方法，其特征在于，還包括如下步驟：
對已進行過ESD失效試驗的電源隔離結構進行ESD失效機理分析。
3.如權利要求1所述的對集成電路進行ESD防護的方法，其特征在于，還包括如下步驟：
對ESD失效與電源系統分布電容的相關性進行SPICE模擬試驗驗證。
4.如權利要求1所述的對集成電路進行ESD防護的方法，其特征在于，所述ESD失效與電源系統分布電容的相關性為正相關。
5.如權利要求1所述的對集成電路進行ESD防護的方法，其特征在于，所述對所述集成電路中的電源隔離結構進行結構設計的過程如下：
獲取電源隔離結構的擊穿電壓；
根據所述擊穿電壓制備對應結構的電源隔離結構。
6.如權利要求5所述的對集成電路進行ESD防護的方法，其特征在于，當所述電源隔離結構為電源鉗，所述電源鉗的擊穿電壓為1.2V時，制備的電源鉗的改進之處在于：以普通工藝形成的硅化物作為聚合物門(Poly-gate)的側壁。
7.如權利要求5所述的對集成電路進行ESD防護的方法，其特征在于，當所述電源隔離結構為電源鉗，所述電源鉗的擊穿電壓為3.3V時，制備的電源鉗的改進之處在于：以普通工藝形成的硅化物作為聚合物門的側壁，并去除附加于硅化物下的較低電阻上的ESD離子阻抗。
8.如權利要求6所述的對集成電路進行ESD防護的方法，其特征在于，所述電源鉗的種類為GG-NMOS或MOS-FET。
9.如權利要求1～8中任一項所述的對集成電路進行ESD防護的方法，其特征在于，所述電源隔離結構的類型包括小尺寸、中尺寸和大尺寸，其中，將5個以下I/O單元數劃分為小尺寸，將6-100個I/O單元數劃分為中尺寸，將100個以上I/O單元數劃分為大尺寸。
10.如權利要求1～8中任一項所述的對集成電路進行ESD防護的方法，其特征在于，所述ESD失效模型為MM模型、HBM模型或TLP模型。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
