[發明專利]一種LED芯片、制備方法及顯示面板

在審

• 申請號: 202010785112.8
• 申請日: 2020-08-06
• 公開（公告）號: CN112968091A
• 公開（公告）日: 2021-06-15
• 發明（設計）人: 王濤;伍凱義
• 申請（專利權）人: 重慶康佳光電技術研究院有限公司
• 主分類號: H01L33/22
• 分類號: H01L33/22;H01L33/46;H01L33/00;H01L27/15
• 代理公司: 深圳鼎合誠知識產權代理有限公司 44281
• 代理人: 李發兵

本發明涉及一種LED芯片、制備方法及顯示面板，在LED芯片外延層的電極部署面上設置了多個凹凸粗化結構，因此可以降低LED芯片所發出的光因為全反射而被限制在外延層內部的可能，提升了外延層在該面上的光提取效率，增強了LED芯片的顯示效果，有利于提升基于該LED芯片所制得的顯示面的顯示效果。

技術領域

本發明涉及顯示領域，尤其涉及一種LED芯片、制備方法及顯示面板。

背景技術

作為一種發光器件，LED(Light-Emitting Diode，發光二極管)能夠高效率地將電能轉換為光能，可以顯著降低能量轉換過程中的損失，節能環保。同時，LED還有響應速度快、壽命長等優點，由于這些優越的性能，LED 已經在照明、顯示等領域得到了非常廣泛的應用，尤其是在顯示領域中，LED不斷地更新迭代，現在即將進入Mini-LED(迷你LED)時代，未來還有Micro-LED(微LED)時代、OLED(Organic Light-Emitting Diode，有機發光二極管)時代等。

不過，目前LED芯片的出光效率不高，導致基于LED芯片制備得到的顯示面板顯示效果欠佳。因此，如何提升LED芯片的出光效率是亟需解決的問題。

發明內容

鑒于上述相關技術的不足，本申請的目的在于提供一種LED芯片、制備方法及顯示面板，旨在解決相關技術中LED芯片出光效率不高，影響顯示面板顯示效果的問題。

一種LED芯片，包括：

外延層；

與外延層中第一半導體層連接的第一電極；以及，

與外延層中第二半導體層連接的第二電極；

外延層的電極部署面上設置有凹凸粗化結構。

上述LED芯片中，因為在外延層的電極部署面上設置了多個凹凸粗化結構，因此可以降低LED芯片所發出的光因為全反射而被限制在外延層內部的可能，提升了外延層在該面上的光提取效率。，增強了LED芯片的顯示效果，有利于提升基于該LED芯片所制得的顯示面的顯示效果。

可選地，外延層除了主出光面以外的其他表面均設置有凹凸粗化結構，主出光面為與電極部署面相對的一面。

上述LED芯片，在外延層上除主出光面以外的表面區域上均設置了凹凸粗化結構，進一步增大了LED芯片的光提取效率，有利于進一步提升LED 芯片的顯示效果。

可選地，所述LED芯片還包括：覆蓋在所述外延層的電極部署面上的反射層，所述第一電極與所述第二電極均外露于所述反射層。

上述LED芯片因為還在電極部署面上設置了反射層，因此可以將從外延層電極部署面上射出的光再反射回去，使得這些光從外延層上與電極部署面相對的主出光面射出，避免了LED芯片發出的光從設置電極的一側漏出，進而導致主出光面出光率不足的問題，進一步提升了LED芯片的主出光面一側的出光率。

可選地，反射層包覆外延層除主出光面及電極設置區以外的區域，主出光面為與電極部署面相對的一面，電極設置區為電極部署面上設置電極的區域。

上述LED芯片，因為在外延層除主出光面以外的各表面上均設置了反射層，從而使得LED芯片發出的光不會從這些表面射出，而只能在經過反射后從主出光面射出，避免了光從其他區域漏出而浪費的問題，提升了主出光面的出光率。

可選地，LED芯片還包括第一絕緣層，第一絕緣層設置在反射層與外延層之間，且第一絕緣層與外延層二者相接觸的面形狀匹配，相互咬合；第一絕緣層朝向反射層的表面平坦。