[發明專利]MEMS傳聲器的制備方法

有效

• 申請號: 202010784197.8
• 申請日: 2019-09-19
• 公開（公告）號: CN111866681B
• 公開（公告）日: 2021-04-27
• 發明（設計）人: 李利
• 申請（專利權）人: 甬矽電子（寧波）股份有限公司
• 主分類號: H04R19/00
• 分類號: H04R19/00;H04R31/00
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 張磊

本申請是中國申請201910888055.3的分案申請。本申請提供一種MEMS傳聲器的制備方法，通過在基板上開設凹槽，將MEMS芯片焊接在凹槽底部，使MEMS芯片的振膜與凹槽底部表面平行，并將MEMS芯片及基板分別與ASIC芯片的同一側面焊接，而后將金屬蓋蓋合在基板上，形成用于封裝凹槽、MEMS芯片及ASIC芯片的封裝腔體，其中凹槽側壁上開設有傳音孔，基板的位于封裝腔體外的表面上開設有進音孔，基板內開設有傳聲通道，傳聲通道連通傳音孔與進音孔，使進入傳聲器的聲音信號的聲壓不會直接與振膜正對接觸，以改善振膜易因高強度的聲壓而破裂的問題，延長傳聲器的使用壽命，提高用戶使用體驗。

本申請是申請號為201910888055.3、申請日為2019年9月19日、發明名稱為“MEMS傳聲器及其制備方法”的中國申請的分案申請。

技術領域

本申請涉及聲電轉換領域，具體而言，涉及一種MEMS傳聲器的制備方法。

背景技術

隨著半導體制造技術的快速發展，半導體器件被廣泛應用到各種電子產品中，以確保對應電子產品的功能實現。其中，對聲音采集設備(例如，智能手機、錄音機)來說，可以使用基于半導體器件制造得到的傳聲器來將聲音信號轉換為電信號，并通過這類傳聲器因半導體器件而具有的尺寸小及穩定性強等特點，增強聲音采集設備的性能。

但就目前而言，市面上的基于半導體器件制造得到的傳聲器通過將MEMS(MicroElectro Mechanical System，微機電系統)的振膜與聲音信號的近音方向正對，確保該MEMS芯片的振膜與該聲音信號所對應的聲壓直接正對接觸，使該MEMS芯片的振膜在對應聲壓的作用下發生形變，進而改變振膜與背極板之間的電容值，從而將聲音信號轉換為電壓信號。在此過程中，因MEMS芯片的振膜與聲壓直接正對接觸，當聲壓變化的強度超過一定數值時，MEMS芯片的振膜易在高強度的聲壓沖擊下出現破裂現象，導致MEMS芯片損壞，影響傳聲器使用壽命及用戶使用體驗。

發明內容

有鑒于此，本申請的目的在于提供一種MEMS傳聲器及其制備方法，其通過使傳聲器的進音方向不與MEMS芯片的振膜正對，確保該MEMS芯片的振膜不會直接與聲壓正對接觸，以改善振膜易因高強度的聲壓而破裂的問題，延長傳聲器的使用壽命，提高用戶使用體驗。

第一方面，本申請實施例提供一種MEMS傳聲器，所述MEMS傳聲器包括基板、金屬蓋、MEMS芯片及ASIC(Application Specific Integrated Circuit，專用集成電路)芯片；

所述基板上開設有凹槽，所述MEMS芯片焊接在所述凹槽底部，所述MEMS芯片及所述基板分別與所述ASIC芯片的同一側面接觸并焊接在一起，其中所述MEMS芯片的振膜與所述凹槽底部表面平行；

所述金屬蓋蓋合在所述基板上，并在所述基板上形成用于封裝所述凹槽、所述MEMS芯片及所述ASIC芯片的封裝腔體，所述凹槽側壁上開設有傳音孔，所述基板的位于所述封裝腔體外的表面上開設有進音孔，所述基板內開設有傳聲通道，所述傳聲通道連通所述傳音孔與所述進音孔。

在可選的實施方式中，所述傳音孔的數目為多個，多個所述傳音孔與所述傳聲通道連通。

在可選的實施方式中，多個所述傳音孔環繞著所述MEMS芯片地分布設置在所述凹槽側壁上。

在可選的實施方式中，所述進音孔的數目為一個，所述進音孔設置在所述基板的遠離所述凹槽的側面上。

在可選的實施方式中，所述MEMS芯片的高度與所述凹槽的深度相同。

在可選的實施方式中，所述ASIC芯片包括焊接面，所述焊接面包括第一區域及第二區域；

所述第一區域與所述MEMS芯片的遠離所述凹槽的側面接觸，并與所述MEMS芯片焊接；

所述第二區域與所述基板的開設有所述凹槽的側面接觸，并與所述基板焊接。