[發明專利]MEMS傳聲器的制備方法有效
| 申請號： | 202010784197.8 | 申請日： | 2019-09-19 |
| 公開（公告）號： | CN111866681B | 公開（公告）日： | 2021-04-27 |
| 發明（設計）人： | 李利 | 申請（專利權）人： | 甬矽電子（寧波）股份有限公司 |
| 主分類號： | H04R19/00 | 分類號： | H04R19/00;H04R31/00 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 張磊 |
| 地址： | 315400 浙江省寧*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | mems 傳聲器 制備 方法 | ||
1.一種MEMS傳聲器的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：
提供一開設有凹槽、進音孔、傳聲通道及傳音孔的基板，并對所述基板進行預烘烤，其中所述傳音孔設置在所述凹槽側壁上，所述進音孔設置在所述基板的遠離所述凹槽的側面上，所述傳聲通道設置在所述基板內部，并與所述進音孔及所述傳音孔連通；
將MEMS芯片貼裝在預烘烤后的所述基板的凹槽底部，使所述MEMS芯片的振膜與所述凹槽底部表面平行，并將所述MEMS芯片焊接在所述基板上；
將ASIC芯片貼裝在所述MEMS芯片及所述基板上，使所述ASIC芯片的同一側面與所述MEMS芯片及所述基板接觸，并將所述ASIC芯片焊接在所述MEMS芯片及所述基板上；
將金屬蓋貼裝在所述基板上，形成用于封裝所述基板的凹槽、所述MEMS芯片及所述ASIC芯片的封裝腔體，得到所述MEMS傳聲器；
其中，所述傳音孔的數目為一個，所述制備方法還包括：
提供一基板板材，并在所述基板板材的一側涂覆第一銅層，得到第一基板組件；
在所述第一基板組件的與第一銅層對應的一側上蝕刻出與所述傳音孔對應的第一溝槽；
在所述第一基板組件的蝕刻有所述第一溝槽的一側上層壓第一聚丙烯板材，得到第二基板組件，及由所述第一基板組件、所述第一溝槽、所述第一聚丙烯板材配合得到的所述傳音孔；
在所述第二基板組件的與第一聚丙烯板材對應的一側上蝕刻出側壁位置與所述傳音孔相交的挖槽，得到所述凹槽；
在所述第二基板組件的遠離所述凹槽的一側上進行打孔，使打出的孔洞與所述傳音孔連通，形成所述進音孔及連通所述進音孔與所述傳音孔的傳聲通道，得到所述基板。
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述凹槽的深度與所述MEMS芯片的高度相同。
3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述進音孔的數目為一個。
4.根據權利要求1-3中任意一項所述的制備方法，其特征在于，所述傳音孔在所述凹槽側壁上的位置與貼裝在所述凹槽底部的MEMS芯片的振膜齊平。
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