[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制作方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010783980.2
• 申請(qǐng)日: 2020-08-06
• 公開（公告）號(hào): CN111968959A
• 公開（公告）日: 2020-11-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 胡思平;巴特爾
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): H01L23/498
• 分類號(hào): H01L23/498;H01L21/48
• 代理公司: 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 遠(yuǎn)明

本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件及其制作方法，該半導(dǎo)體器件包括：第一芯片，所述第一芯片包括層疊設(shè)置的第一芯片基底和第一互聯(lián)鍵合層，所述第一互聯(lián)鍵合層內(nèi)設(shè)有至少一個(gè)第一金屬層以及至少一個(gè)第一附加器件，所述第一金屬層和所述第一芯片基底連接，從而使互聯(lián)鍵合層除了本身連接承載功能外，還具有其他功能，提高了互聯(lián)鍵合層的利用率。

【技術(shù)領(lǐng)域】

本發(fā)明涉及芯片技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種半導(dǎo)體器件及其制作方法。

【背景技術(shù)】

芯片又稱集成電路，在電子學(xué)中是一種把電路小型化的方式，并時(shí)常制造在半導(dǎo)體晶圓表面上。通常，芯片泛指所有的半導(dǎo)體元器件，是在硅板上集合多種電子器件實(shí)現(xiàn)某種特定功能的電路模塊，不同芯片具有不同功能。

對(duì)于普通設(shè)備而言，其通常需要有多個(gè)功能的芯片，比如傳感器芯片、處理器芯片以及存儲(chǔ)芯片等，目前，這些芯片可以采用堆疊方式進(jìn)行組合，而芯片與芯片之間設(shè)置有互聯(lián)鍵合層，主要起到承載和連接相鄰芯片的作用，功能比較單一，互聯(lián)鍵合層的利用率不高。

【發(fā)明內(nèi)容】

本發(fā)明的目的在于提供一種半導(dǎo)體器件及其制作方法，以解決現(xiàn)有芯片中互聯(lián)鍵合層的功能比較單一、利用率不高的技術(shù)問題。

為了解決上述問題，本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件，包括第一芯片，所述第一芯片包括層疊設(shè)置的第一芯片基底和第一互聯(lián)鍵合層，所述第一互聯(lián)鍵合層內(nèi)設(shè)有至少一個(gè)第一金屬層以及至少一個(gè)第一附加器件，所述第一金屬層和所述第一芯片基底連接。

其中，所述第一附加器件包括電容器、二極管、電阻器和薄膜晶體管中的至少一個(gè)。

其中，所述半導(dǎo)體器件還包括與所述第一芯片鍵合的第二芯片，所述第二芯片包括層疊設(shè)置的第二芯片基底和第二互聯(lián)鍵合層，所述第二互聯(lián)鍵合層內(nèi)設(shè)有至少一個(gè)第二金屬層，所述第二金屬層與所述第二芯片基底連接；所述第二互聯(lián)鍵合層位于所述第一互聯(lián)鍵合層遠(yuǎn)離所述第一芯片基底的表面上，且所述第一金屬層和所述第二金屬層連接，所述第一附加器件與所述第一金屬層、和/或所述第二金屬層連接。

其中，所述第一附加器件通過所述第二金屬層中的連接通孔與所述第二金屬層進(jìn)行連接。

其中，所述第一附加器件設(shè)置在所述第一金屬層表面，以與所述第一金屬層進(jìn)行連接。

其中，所述第二互聯(lián)鍵合層內(nèi)還設(shè)有至少一個(gè)第二附加器件，所述第二附加器件與所述第二金屬層、和/或所述第一金屬層連接。

其中，所述半導(dǎo)體器件還包括與所述第二芯片鍵合的第三芯片、以及第四互聯(lián)鍵合層，所述第三芯片包括層疊設(shè)置的第三芯片基底和第三互聯(lián)鍵合層，所述第四互聯(lián)鍵合層位于所述第三芯片基底和所述第三互聯(lián)鍵合層之間。

為了解決上述問題，本發(fā)明還提供了一種半導(dǎo)體器件的制作方法，包括：

提供第一芯片，所述第一芯片包括層疊設(shè)置的第一芯片基底和第一互聯(lián)鍵合層，所述第一互聯(lián)鍵合層內(nèi)設(shè)有至少一個(gè)第一金屬層，所述第一金屬層和所述第一芯片基底連接；

在所述第一互聯(lián)鍵合層內(nèi)形成至少一個(gè)第一附加器件。

其中，所述第一附加器件包括電容器、二極管、電阻器和薄膜晶體管中的至少一個(gè)。

其中，該制作方法還包括：

提供第二芯片，所述第二芯片包括層疊設(shè)置的第二芯片基底和第二互聯(lián)鍵合層，所述第二互聯(lián)鍵合層內(nèi)設(shè)有至少一個(gè)第二金屬層，所述第二金屬層與所述第二芯片基底連接；

將所述第一互聯(lián)鍵合層和所述第二互聯(lián)鍵合層相對(duì)疊加，以使所述第一芯片和所述第二芯片鍵合，其中，所述第一金屬層和所述第二金屬層連接，所述第一附加器件與所述第一金屬層、和/或所述第二金屬層連接。

其中，該制作方法還包括：在所述第一互聯(lián)鍵合層和所述第二互聯(lián)鍵合層中制作連接通孔；