[發(fā)明專利]一種基于場路耦合的集成電路全波IBIS模型提取方法及裝置

有效

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• 申請日: 2020-08-06
• 公開（公告）號: CN111737947B
• 公開（公告）日: 2020-12-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 唐章宏;鄒軍;黃承清;汲亞飛;王芬
• 申請（專利權(quán)）人: 北京智芯仿真科技有限公司
• 主分類號: G06F30/398
• 分類號: G06F30/398;G06F30/367;G06F30/392
• 代理公司: 深圳市行一知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 44453
• 代理人: 楊賢

1.一種基于場路耦合的集成電路全波IBIS模型提取方法，其特征在于，包括：

S1：獲取集成電路無源部分的多層集成電路版圖信息，設(shè)置IBIS模型提取的相關(guān)參數(shù)和仿真參數(shù)；

S2：將多層集成電路的三維模型簡化為多層集成電路的二維模型，根據(jù)多層集成電路版圖信息，對多層集成電路版圖的多邊形進行對齊和簡化處理；對直流電場模型，直接對簡化后的多層集成電路版圖的多邊形進行自適應(yīng)網(wǎng)格細(xì)分，對交變電磁場模型，根據(jù)多層集成電路版圖多邊形的對齊和簡化，對多層集成電路版圖的金屬層以及介質(zhì)層形成的平行平板場域進行識別并對識別出的平行平板場域進行自適應(yīng)網(wǎng)格細(xì)分；根據(jù)多層集成電路版圖在直流電場模型下對多邊形進行的自適應(yīng)網(wǎng)格細(xì)分，以及在交變電磁場模型下對平行平板場域進行的自適應(yīng)網(wǎng)格細(xì)分，對二維模型采用有限元法建立場域求解方程組，形成集成電路場域求解方程組的總體稀疏矩陣；

S3：判斷待提取的IBIS模型是否為有源模型，若是，則執(zhí)行步驟S4，若否，則執(zhí)行步驟S5；

S4：根據(jù)IBIS模型提取的相關(guān)參數(shù)和仿真參數(shù)，獲取集成電路有源器件的SPICE模型，將該SPICE模型作為所述集成電路的外部電路，對所述集成電路的外部電路，利用節(jié)點分析法建立外部電路方程組；基于集成電路有源部分與無源部分多層集成電路版圖耦合的耦合節(jié)點，將所述場域求解方程組與所述外部電路方程組合并，建立場路耦合的統(tǒng)一求解方程組；基于預(yù)先設(shè)置的IBIS模型端口，計算多端口的電壓/電流特性曲線，形成多端口有源集成電路模型的IBIS模型，然后執(zhí)行步驟S6；

S5：基于所述集成電路場域求解方程組的總體稀疏矩陣和預(yù)先設(shè)置的IBIS模型端口，計算多端口的電壓/電流特性曲線，形成多端口無源集成電路模型的IBIS模型；

S6：計算結(jié)果輸出和圖形化顯示。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述IBIS模型提取的相關(guān)參數(shù)包括封裝類型、端口網(wǎng)絡(luò)和頻率范圍，所述封裝類型包括雙列直插式封裝、陣列引腳封裝、觸點陣列封裝、球柵陣列封裝、倒焊芯片封裝和多芯片組件封裝；所述仿真參數(shù)包括疊層、焊球、介質(zhì)層參數(shù)和輸出控制參數(shù)。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)多層集成電路版圖信息，對多層集成電路版圖的多邊形進行對齊和簡化處理，包括：

獲取多層集成電路版圖包含多個頂點的多個多邊形；

將各層的多個多邊形垂直投影到同一層，根據(jù)Delaunay三角剖分算法形成以多邊形頂點為網(wǎng)格節(jié)點的Delaunay三角形網(wǎng)格，其中，所述多個多邊形的各個邊包含預(yù)先設(shè)定的多邊形編號信息；

根據(jù)邊交換法將所述Delaunay三角形網(wǎng)格對齊到所述多個多邊形的各個邊，同時計算所述多個多邊形邊的交點并將所述交點新增為所述多邊形的頂點和所述Delaunay三角形網(wǎng)格的節(jié)點，形成第一三角形網(wǎng)格；

基于所述第一三角形網(wǎng)格，在每個多邊形P的內(nèi)外分別形成夾住所述多邊形P的內(nèi)輔助多邊形P0與外輔助多邊形P9，并通過設(shè)定的距離閾值控制該內(nèi)、外輔助多邊形與多邊形P的距離；

對落在所述內(nèi)、外輔助多邊形之間的各層多邊形的邊進行對齊和簡化處理，并根據(jù)各個所述多邊形的邊所包含的多邊形編號信息將所述投影到同一層的多層多邊形還原到各層中。