[發明專利]電子器件制造裝置及方法、半導體裝置和顯示器在審
| 申請號: | 202010783480.9 | 申請日: | 2016-02-17 |
| 公開(公告)號: | CN111876751A | 公開(公告)日: | 2020-11-03 |
| 發明(設計)人: | 奈良圭;中積誠;西康孝;中村有水;浪平隆男;高村紀充 | 申請(專利權)人: | 株式會社尼康;國立大學法人熊本大學 |
| 主分類號: | C23C16/448 | 分類號: | C23C16/448;C23C16/40;C23C16/458;C23C16/50;C23C16/515;C23C16/54;C23C24/04;H01J37/32;H01L21/48;H01L23/14 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 李輝;黃綸偉 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電子器件 制造 裝置 方法 半導體 顯示器 | ||
1.一種電子器件制造裝置,其具備:
輸送部,其輸送涂敷了感光性材料的、具有光的照射部分和未照射部分的基板;
等離子體產生部,其具有配置于由所述輸送部輸送的所述基板的一個面側的第1電極和第2電極,對所述第1電極與所述第2電極之間施加電壓,使所述第1電極與所述第2電極之間產生等離子體;以及
霧供給部,其使含有具有導電性的材料的霧通過所述第1電極與所述第2電極之間而供給至所述基板的所述一個面。
2.根據權利要求1所述的電子器件制造裝置,其中,
所述電子器件制造裝置還具備曝光部,所述曝光部以與電子器件用圖案的形狀對應的分布對所述感光性材料照射光。
3.根據權利要求1或2所述的電子器件制造裝置,其中,
所述感光性材料是感光性硅烷偶聯材料。
4.根據權利要求1或2所述的電子器件制造裝置,其中,
所述光是紫外線。
5.根據權利要求1或2所述的電子器件制造裝置,其中,
所述霧供給部沿著與所述基板垂直的面供給所述霧。
6.根據權利要求1或2所述的電子器件制造裝置,其中,
所述基板是具有撓性的樹脂。
7.根據權利要求6所述的電子器件制造裝置,其中,
所述輸送部利用旋轉滾筒的外周面支承所述基板,
所述霧供給部對由所述旋轉滾筒的外周面支承的所述基板供給所述霧。
8.根據權利要求1或2所述的電子器件制造裝置,其中,
所述電子器件制造裝置還具備:
膜厚計測部,其對所述霧被供給至所述基板從而形成的膜的膜厚進行計測;以及
控制部,其根據由所述膜厚計測部計測出的所述膜厚的結果,對施加在所述第1電極與所述第2電極之間的所述電壓進行控制。
9.根據權利要求1或2所述的電子器件制造裝置,其中,
所述等離子體產生部具有對所述第1電極與所述第2電極之間施加電壓的電源部,
所述電源部以1kHz以上且不足6kHz的頻率對所述第1電極與所述第2電極之間施加電壓。
10.根據權利要求1或2所述的電子器件制造裝置,其中,
所述等離子體產生部具有對所述第1電極與所述第2電極之間施加電壓的電源部,
所述電源部對所述第1電極與所述第2電極之間施加19kV以上的電壓。
11.根據權利要求10所述的電子器件制造裝置,其中,
所述電源部通過施加電壓而使所述第1電極與所述第2電極之間產生3.8×106V/m以上的電場。
12.根據權利要求1或2所述的電子器件制造裝置,其中,
所述具有導電性的材料是含有銦、鋅、錫以及鈦中的任意一個以上的金屬或金屬氧化物微粒。
13.根據權利要求1或2所述的電子器件制造裝置,其中,
所述具有導電性的材料是含有鋅、銦、錫、鎵、鈦、鋁、鐵、鈷、鎳、銅、硅、鉿、鉭、鎢中的任意一個以上的金屬鹽或金屬配合物。
14.一種半導體裝置,其是利用權利要求1-13中的任意一項所述的電子器件制造裝置制造的。
15.一種顯示器,其是利用權利要求1-13中的任意一項所述的電子器件制造裝置制造的。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





