[發明專利]電子器件制造裝置及方法、半導體裝置和顯示器在審
| 申請號: | 202010783480.9 | 申請日: | 2016-02-17 |
| 公開(公告)號: | CN111876751A | 公開(公告)日: | 2020-11-03 |
| 發明(設計)人: | 奈良圭;中積誠;西康孝;中村有水;浪平隆男;高村紀充 | 申請(專利權)人: | 株式會社尼康;國立大學法人熊本大學 |
| 主分類號: | C23C16/448 | 分類號: | C23C16/448;C23C16/40;C23C16/458;C23C16/50;C23C16/515;C23C16/54;C23C24/04;H01J37/32;H01L21/48;H01L23/14 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 李輝;黃綸偉 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電子器件 制造 裝置 方法 半導體 顯示器 | ||
電子器件制造裝置及方法、半導體裝置和顯示器。電子器件制造裝置具備:輸送部,其輸送涂敷了感光性材料的、具有光的照射部分和未照射部分的基板;等離子體產生部,其具有配置于由所述輸送部輸送的所述基板的一個面側的第1電極和第2電極,對所述第1電極與所述第2電極之間施加電壓,使所述第1電極與所述第2電極之間產生等離子體;以及霧供給部,其使含有具有導電性的材料的霧通過所述第1電極與所述第2電極之間而供給至所述基板的所述一個面。
本申請是原案申請號為201680010757.6的發明專利申請(申請日:2016年2月17日,發明名稱:薄膜制造裝置和薄膜制造方法)的分案申請。
技術領域
本發明涉及電子器件制造裝置及電子器件制造方法、半導體裝置和顯示器。本發明要求在2015年2月18日申請的申請號為2015-030022的日本專利申請和在2016年2月2日申請的申請號為2016-018125的日本專利申請的優先權,對于認可基于文獻參照方式的編入的指定國,通過參照方式將該申請所述的內容編入本申請中。
背景技術
對原料氣體照射等離子體而使原料層疊于基板上的技術被廣泛應用。通常,層疊工序在真空或減壓的環境中進行,因此存在裝置大型化的問題。
因此,在專利文獻1中公開了一種片狀基材的連續處理方法,其特征在于,在具備被密封成能夠允許氣體泄漏的程度的非氣密狀態的片導入口和片排出口的處理容器內,配設一對對置電極,利用固體電介質覆蓋所述對置電極的一方或雙方的對置面,使片狀基材在所述對置電極之間連續地行進,與此同時,使處理用氣體從所述片狀基材的行進方向的反方向連續地接觸片狀基材,并且,對所述對置電極之間施加脈沖化的電場,由此產生放電等離子體。
在先技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開平10-130851號公報
發明內容
發明所要解決的課題
可是,在現有的技術中,可能會由于在電極面內產生的等離子體密度的不均而在膜上發生不均。另外,由于基材被配置于上部電極與下部電極之間,因此存在如下的可能性:在電極間局部地發生的電弧放電對基板造成破壞。
本發明是鑒于這樣的情況而完成的,課題在于提供一種能夠進一步降低對基板的負荷的薄膜制造裝置。
用于解決問題的手段
本申請包含多個用于解決上述課題的至少一部分的手段,列舉其例子如下。
本發明的方式是為了解決上述的課題而完成的,是一種電子器件制造裝置,其具備:輸送部,其輸送涂敷了感光性材料的、具有光的照射部分和未照射部分的基板;等離子體產生部,其具有配置于由所述輸送部輸送的所述基板的一個面側的第1電極和第2電極,對所述第1電極與所述第2電極之間施加電壓,使所述第1電極與所述第2電極之間產生等離子體;以及霧供給部,其使含有具有導電性的材料的霧通過所述第1電極與所述第2電極之間而供給至所述基板的所述一個面。
另外,本發明的另一方式是電子器件制造方法,其包括:輸送步驟,輸送涂敷了感光性材料的、具有光的照射部分和未照射部分的基板;等離子體產生步驟,對配置于被輸送的所述基板的一個面側的第1電極和第2電極之間施加電壓,使所述第1電極與所述第2電極之間產生等離子體;以及霧供給步驟,使含有具有導電性的材料的霧通過所述第1電極與所述第2電極之間而供給至所述基板的所述一個面。
另外,本發明的另兩個方式是利用上述的電子器件制造裝置和/或電子器件制造方法制造的半導體和顯示器。
附圖說明
圖1是示出第1實施方式中的薄膜制造裝置的概要的圖。
圖2是用于說明第1實施方式中的薄膜制造裝置的詳情的圖(之1)。
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- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





