[發明專利]一種功率半導體器件用硅片清洗液在審
| 申請號： | 202010783255.5 | 申請日： | 2020-08-06 |
| 公開（公告）號： | CN111849656A | 公開（公告）日： | 2020-10-30 |
| 發明（設計）人： | 李明智;張穎武;韓煥鵬;常耀輝;莫宇;張偉才 | 申請（專利權）人： | 中國電子科技集團公司第四十六研究所 |
| 主分類號： | C11D1/831 | 分類號： | C11D1/831;C11D3/04;H01L21/02 |
| 代理公司： | 天津中環專利商標代理有限公司 12105 | 代理人： | 李美英 |
| 地址： | 300220*** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 功率 半導體器件 硅片 清洗 | ||
【權利要求書】：
1.一種功率半導體器件用硅片清洗液，其特征在于：包括C12脂肪醇聚氧乙烯醚、烷基二苯醚二磺酸鹽、氫氧化鈉和烷基苯磺酸鈉，配制方法如下：
一、將烷基二苯醚二磺酸鹽和C12脂肪醇聚氧乙烯醚按質量比1：2~3復配，制成復配劑；
二、將烷基苯磺酸鈉、氫氧化鈉和復配劑按質量1：8~10：2~3的比例復配，配制成功率半導體器件用硅片清洗液。
2.如權利要求1所述的一種功率半導體器件用硅片清洗液，其特征在于：
一、烷基二苯醚二磺酸鹽和C12脂肪醇聚氧乙烯醚按質量比1：2.5復配，制成復配劑；
二、烷基苯磺酸鈉、氫氧化鈉和復配劑按1：9：2.5的比例復配，和步驟一的復配劑配制成功率半導體器件用硅片清洗液。
3.如權利要求1所述的一種功率半導體器件用硅片清洗液，其特征在于：使用時，按下以下步驟清洗：
一、用去離子水將功率半導體器件用硅片清洗液復配成PH11~13的功率半導體器件用硅片清洗溶液；
二、用去離子水沖洗研磨后的硅片；
三、用步驟一復配好的功率半導體器件用硅片清洗溶液清洗經去離子水沖洗后的硅片，清洗工藝參數為：清洗溫度50-60℃，功率為70-80W，清洗時間100-140s，超聲清洗頻率為30-45Hz；
四、用去離子水清洗沖洗步驟三處理后的硅片；
五、將經過步驟四處理后的硅片用氫氟酸腐蝕后用去離子水沖洗、干燥，完成清洗。
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