[發明專利]一種半導體器件及其制造方法

在審

• 申請號: 202010783067.2
• 申請日: 2020-08-06
• 公開（公告）號: CN111883535A
• 公開（公告）日: 2020-11-03
• 發明（設計）人: 許鵬凱;喬夫龍;任佳
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L27/11524
• 分類號: H01L27/11524;H01L21/28;H01L29/423
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 徐偉

1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供襯底，存儲區域的襯底上形成有多個存儲晶體管的堆疊柵極；

在各個堆疊柵極的兩側側壁形成低于所述堆疊柵極的側墻；

對以所述側墻定義的離子注入區域執行所述存儲區域的離子注入；以及

進行灰化工藝并以所述側墻為所述堆疊柵極的保護層進行濕法清洗，去除所述離子注入后殘留的光刻膠。

2.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述堆疊柵極包括：

由下至上依次形成在襯底上方的浮柵膜層、層間介質層和控制柵膜層；其中

所述側墻高于所述層間介質層。

3.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述側墻進一步包括：

形成覆蓋所述堆疊柵極上方以及兩側側壁的絕緣薄層；

在所述絕緣薄層的表面形成阻擋層，所述阻擋層填滿多個堆疊柵極之間的間隙的下部；

以所述阻擋層為保護層對位于所述堆疊柵極上方以及兩側側壁上部的絕緣薄層進行刻蝕；以及

去除所述阻擋層；其中

被所述阻擋層保護的所述堆疊柵極的兩側側壁下部的絕緣層為所述側墻。

4.如權利要求3所述的制造方法，其特征在于，形成所述阻擋層進一步包括：

在所述絕緣薄層的表面形成填滿多個堆疊柵極之間的間隙并高于所述堆疊柵極的阻擋層；以及

對所述阻擋層進行回刻，保留填滿多個堆疊柵極之間的間隙的下部的阻擋層。

5.如權利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述阻擋層為有機介電材質層。

6.如權利要求3所述的制造方法，其特征在于，采用濕法工藝對位于所述堆疊柵極上方以及兩側側壁上部的絕緣薄層進行刻蝕。

7.如權利要求3所述的制造方法，其特征在于，所形成的所述絕緣薄層還包括覆蓋所述襯底上表面的水平部分，所述水平部分被所述阻擋層保護。

8.如權利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述絕緣薄層為氧化硅。

9.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，濕法清洗所述存儲區域所采用的試劑填滿多個堆疊柵極之間的間隙。

10.一種半導體器件，其特征在于，所述半導體器件由權利要求1-9中任意一項所述的制造方法制造。