[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010782878.0
• 申請(qǐng)日: 2020-08-06
• 公開（公告）號(hào): CN112002691B
• 公開（公告）日: 2022-10-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 韓廣濤;王煒槐;胡濤
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 杰華特微電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/02
• 分類號(hào): H01L27/02;H01L29/06
• 代理公司: 北京成創(chuàng)同維知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11449
• 代理人: 蔡純;李鎮(zhèn)江

公開了一種半導(dǎo)體器件，該半導(dǎo)體器件包括位于襯底上的阱區(qū)，阱區(qū)上表面包括沿橫向方向間隔分布的源端注入?yún)^(qū)和漏端注入?yún)^(qū)，柵結(jié)構(gòu)設(shè)置在阱區(qū)上，位于源端注入?yún)^(qū)和漏端注入?yún)^(qū)之間，其中，漏端注入?yún)^(qū)上設(shè)置有漏端接觸孔和位于漏端接觸孔與柵結(jié)構(gòu)之間的開孔，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件在漏端注入?yún)^(qū)上設(shè)置漏端接觸孔和位于漏端接觸孔與柵結(jié)構(gòu)之間的開孔，可增加漏端注入?yún)^(qū)至柵結(jié)構(gòu)之間的壓艙電阻，調(diào)節(jié)改善漏端接觸孔至柵結(jié)構(gòu)的電流路徑上的電流的均勻性，提高漏端接觸孔至源端的電流釋放能力。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種半導(dǎo)體器件。

背景技術(shù)

ESD(Electro-Static discharge，靜電釋放)是一種客觀存在的自然現(xiàn)象，伴隨著產(chǎn)品的整個(gè)周期。芯片的制造、封裝、測(cè)試到應(yīng)用階段，其外部環(huán)境和內(nèi)部結(jié)構(gòu)都會(huì)積累一定的電荷，會(huì)隨時(shí)受到靜電的威脅。

在傳統(tǒng)設(shè)計(jì)中，GGNMOS(gate-grounded NMOS，柵極接地NMOS(N-Metal-Oxide-Semiconductor，N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體))器件經(jīng)常作為ESD防護(hù)器件來使用，其可以兼容絕大部分CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)制造工藝。

在現(xiàn)有技術(shù)中，需要進(jìn)行靜電防護(hù)的器件的各個(gè)引腳均會(huì)連接至ESD器件進(jìn)行靜電防護(hù)，與各個(gè)引腳對(duì)應(yīng)，ESD器件的相應(yīng)結(jié)構(gòu)需要有所調(diào)整，漏端與柵需要拉開一定距離，即DCP(distance of Drain Contact to Poly，漏端金屬孔與多晶硅柵的距離)要達(dá)到一定的值，并在漏端接觸孔至多晶硅柵之間的場(chǎng)氧區(qū)上覆蓋硅化物阻擋層(Saliside Block,SAB)，使漏端的N+注入?yún)^(qū)有一定的壓艙電阻(ballast resistance)，改善ESD器件泄放ESD電流的均勻性。

在漏端接觸孔至多晶硅柵之間的場(chǎng)氧區(qū)上覆蓋SAB對(duì)漏端N+注入?yún)^(qū)的壓艙電阻的調(diào)控效果有限，即ESD器件的ESD電流泄放能力的提升效果有限。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于上述問題，本發(fā)明的目的在于提供一種半導(dǎo)體器件，從而提供一種ESD器件的ESD電流泄放能力提升設(shè)計(jì)方案，提升ESD器件的ESD電流泄放能力。

根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種半導(dǎo)體器件，包括：

襯底；

阱區(qū)，位于所述襯底上；

源端注入?yún)^(qū)和漏端注入?yún)^(qū)，沿所述阱區(qū)上表面的橫向方向間隔設(shè)置在所述阱區(qū)上表面；

柵結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述阱區(qū)上，位于所述源端注入?yún)^(qū)和所述漏端注入?yún)^(qū)之間，

其中，所述漏端注入?yún)^(qū)上設(shè)置有漏端接觸孔和位于所述漏端接觸孔與所述柵結(jié)構(gòu)之間的開孔。

可選地，所述漏端接觸孔為多個(gè)，所述開孔為多個(gè)，所述開孔與所述漏端接觸孔匹配對(duì)應(yīng)，所述漏端接觸孔和所述開孔均在所述阱區(qū)上表面的縱向方向間隔分布。

可選地，在所述阱區(qū)上表面的縱向方向上，多個(gè)所述開孔的尺寸由中間向兩端漸變。

可選地，所述開孔的尺寸漸變包括沿所述阱區(qū)上表面的橫向方向的長(zhǎng)度尺寸漸變。

可選地，在所述阱區(qū)上表面的縱向方向上，多個(gè)所述開孔的尺寸由中間向兩端逐漸減小。

可選地，在所述阱區(qū)上表面的縱向方向上，多個(gè)所述漏端接觸孔至所述柵結(jié)構(gòu)的距離由中間向兩端逐漸變小。

可選地，多個(gè)所述開孔的朝向所述柵結(jié)構(gòu)的第一邊和朝向所述漏端接觸孔的第二邊中的至少一個(gè)對(duì)齊。

可選地，各所述開孔的第一邊至所述柵結(jié)構(gòu)的距離相等。

可選地，所述柵結(jié)構(gòu)的各部分在所述阱區(qū)上表面的橫向方向上的長(zhǎng)度相等。