[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010782878.0
• 申請日: 2020-08-06
• 公開（公告）號: CN112002691B
• 公開（公告）日: 2022-10-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 韓廣濤;王煒槐;胡濤
• 申請（專利權(quán)）人: 杰華特微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L29/06
• 代理公司: 北京成創(chuàng)同維知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11449
• 代理人: 蔡純;李鎮(zhèn)江

1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：

襯底；

阱區(qū)，位于所述襯底上；

源端注入?yún)^(qū)和漏端注入?yún)^(qū)，沿所述阱區(qū)上表面的橫向方向間隔設(shè)置在所述阱區(qū)上表面；

柵結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述阱區(qū)上，位于所述源端注入?yún)^(qū)和所述漏端注入?yún)^(qū)之間，

其中，所述漏端注入?yún)^(qū)上設(shè)置有漏端接觸孔和位于所述漏端接觸孔與所述柵結(jié)構(gòu)之間的開孔，所述漏端接觸孔為多個，所述開孔為多個，所述開孔與所述漏端接觸孔匹配對應(yīng)，所述漏端接觸孔和所述開孔均在所述阱區(qū)上表面的縱向方向間隔分布，

在所述阱區(qū)上表面的縱向方向上，多個所述開孔的尺寸由中間向兩端漸變。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，

所述開孔的尺寸漸變包括沿所述阱區(qū)上表面的橫向方向的長度尺寸漸變。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，

在所述阱區(qū)上表面的縱向方向上，多個所述開孔的尺寸由中間向兩端逐漸減小。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，

在所述阱區(qū)上表面的縱向方向上，多個所述漏端接觸孔至所述柵結(jié)構(gòu)的距離由中間向兩端逐漸變小。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，

多個所述開孔的朝向所述柵結(jié)構(gòu)的第一邊和朝向所述漏端接觸孔的第二邊中的至少一個對齊。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，

各所述開孔的第一邊至所述柵結(jié)構(gòu)的距離相等。

7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，

所述柵結(jié)構(gòu)的各部分在所述阱區(qū)上表面的橫向方向上的長度相等。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，

所述漏端接觸孔通過漏端電極連接為一體，所述漏端電極包括電引出部分，在所述阱區(qū)上表面的縱向方向上，所述多個開孔的尺寸由所述電引出部分向兩側(cè)逐漸變小。