[發明專利]存儲器件及其制造方法

在審

• 申請號: 202010782867.2
• 申請日: 2020-08-06
• 公開（公告）號: CN112018128A
• 公開（公告）日: 2020-12-01
• 發明（設計）人: 肖亮;陳赫;伍術;黃詩琪
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/1157
• 分類號: H01L27/1157;H01L27/11582
• 代理公司: 北京成創同維知識產權代理有限公司 11449
• 代理人: 蔡純;岳丹丹

1.一種存儲器件，其中，包括:

襯底；

至少一個硅貫穿接觸結構，貫穿所述襯底；

至少一個背側隔離結構，與所述硅貫穿接觸結構并列設置，包括貫穿所述襯底的第一溝槽以及位于所述第一溝槽內的絕緣層和導電層，其中，所述絕緣層將所述導電層和所述襯底隔離。

2.根據權利要求1所述的存儲器件，其中，所述硅貫穿接觸結構包括貫穿所述襯底的第二溝槽、位于第二溝槽內的絕緣層和導電層以及位于所述第二襯底表面上的絕緣層，其中，所述絕緣層將所述導電層和所述襯底隔離。

3.根據權利要求2所述的存儲器件，其中，第一溝槽的寬度小于或者等于所述第二溝槽的寬度。

4.根據權利要求3所述的存儲器件，其中，所述第一溝槽的寬度為400nm～600nm。

5.根據權利要求1所述的存儲器件，其中，還包括：

背側互連導電層，位于所述硅貫穿接觸結構表面且與所述硅貫穿接觸結構接觸，所述背側互連導電層位于所述襯底表面上方，所述背側互連導電層通過所述硅貫穿接觸結構與所述襯底隔離。

6.根據權利要求5所述的存儲器件，其中，所述背側互連導電層與所述背側隔離結構之間具有間隔。

7.根據權利要求1所述的存儲器件，其中，還包括：

柵疊層結構，位于所述襯底第一表面；

至少一個溝道柱，所述溝道柱貫穿所述柵疊層結構且到達所述襯底中。

8.根據權利要求7所述的存儲器件，其中，所述第一溝槽貫穿所述柵疊層結構。

9.一種存儲器件的制造方法，其中，包括：

沿襯底第二表面形成貫穿所述襯底的至少一個第一溝槽和至少一個第二溝槽；

在所述第一溝槽側壁處、第二溝槽側壁處以及靠近所述第二溝槽的部分襯底的第二表面形成絕緣層；

在所述第一溝槽內部、所述第二溝槽內部以及所述絕緣層表面形成導電層，

所述第一溝槽內部的絕緣層、導電層形成背側隔離結構，所述第二溝槽內部及其襯底的第二表面的絕緣層、導電層形成硅貫穿接觸結構。

10.根據權利要求9所述的制造方法，其中，所述第一溝槽的寬度小于或者等于所述第二溝槽的寬度。

11.根據權利要求10所述的制造方法，其中，所述第一溝槽的寬度為400nm～600nm。

12.根據權利要求9所述的制造方法，其中，還包括：

在所述硅貫穿接觸結構表面形成與所述硅貫穿接觸結構接觸的背側互連導電層，所述背側互連導電層位于所述襯底第二表面上方，所述背側互連導電層通過所述硅貫穿接觸結構與所述襯底隔離。

13.根據權利要求12所述的制造方法，其中，所述背側互連導電層與所述背側隔離結構之間設置有間隔。

14.根據權利要求9所述的制造方法，其中，還包括：

在所述襯底第一表面形成柵疊層結構；

形成貫穿所述柵疊層結構且到達所述襯底中的只掃一個溝道柱。

15.根據權利要求14所述的制造方法，其中，所述第一溝槽貫穿所述柵疊層結構。