[發明專利]蝕刻方法及基板處理裝置

在審

• 申請號: 202010781745.1
• 申請日: 2020-08-06
• 公開（公告）號: CN112349585A
• 公開（公告）日: 2021-02-09
• 發明（設計）人: 渡部誠一;山田纮己;佐藤學
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311;H01L21/67;H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578;H01J37/305
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 呂琳;樸秀玉

一種蝕刻方法，其對高度不同的多個基底層的損傷進行抑制，同時將各基底層上的氧化硅膜蝕刻至不同深度。該蝕刻方法包括準備基板的工序，該基板具有高度不同的第一基底層和第二基底層、形成在第一基底層和第二基底層上的氧化硅膜、以及形成在氧化硅膜上并且具有第一基底層和第二基底層上方的第二開口的掩模；使用第一氣體對氧化硅膜進行蝕刻，使第一基底層暴露的工序；使用第二氣體使沉積物在第一基底層上沉積，同時對第二基底層上方的氧化硅膜進行蝕刻的工序；以及使用第三氣體將沉積在第一基底層上的沉積物去除，同時對第二基底層上方的氧化硅膜進行蝕刻的工序，其中，將使用第二氣體進行蝕刻的工序和使用第三氣體進行蝕刻的工序重復多次。

技術領域

本公開涉及一種蝕刻方法及基板處理裝置。

背景技術

例如，專利文獻1提出了一種方法，其準備具有位于不同高度的多個基底層、以及形成在該多個基底層上的對象膜的基板，并使用具有位于各基底層上方的多個開口的掩模在對象膜上蝕刻深度不同的孔。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：(日本)特開2019-9259號公報

發明內容

本發明要解決的問題

本公開提供一種蝕刻方法及基板處理裝置，其對位于不同高度的多個基底層的損傷進行抑制，同時對各基底層上的氧化硅膜進行不同深度的蝕刻。

用于解決問題的手段

根據本公開的一個實施方式，提供一種蝕刻方法，包括：準備基板的工序，該基板具有第一基底層、形成在比所述第一基底層深的位置處的第二基底層、形成在所述第一基底層和所述第二基底層上的氧化硅膜、以及形成在所述氧化硅膜上的掩模，該掩模具有形成在所述第一基底層上方的第一開口和形成在所述第二基底層上方的第二開口；使用第一氣體從所述第一開口對所述氧化硅膜進行蝕刻，使所述第一基底層暴露的工序；使用第二氣體使沉積物在所述第一基底層上沉積，同時從所述第二開口對所述第二基底層上方的所述氧化硅膜進行蝕刻的工序；以及使用第三氣體將沉積在所述第一基底層上的沉積物去除，同時從所述第二開口對所述第二基底層上方的所述氧化硅膜進行蝕刻的工序，其中，將使用所述第二氣體進行蝕刻的工序和使用所述第三氣體進行蝕刻的工序重復多次。

發明的效果

根據一個方面，能夠對位于不同高度的多個基底層的損傷進行抑制，同時對各基底層上的氧化硅膜進行不同深度的蝕刻。

附圖說明

圖1是示出根據一個實施方式的基板處理裝置的剖面示意圖。

圖2是示出膜結構及傳統的問題的圖。

圖3是示出根據一個實施方式的蝕刻方法的流程圖。

圖4A是示出根據一個實施方式的蝕刻方法的各工序中的基板上的膜的剖面圖。

圖4B是示出根據一個實施方式的蝕刻方法的各工序中的基板上的膜的剖面圖。

圖4C是示出根據一個實施方式的蝕刻方法的各工序中的基板上的膜的剖面圖。

圖5是示出根據一個實施方式的蝕刻方法的各工序中的孔內的狀態的圖。

圖6是示出根據一個實施方式的蝕刻方法的效果的圖。

圖7是示出根據一個實施方式的蝕刻方法的實驗結果的圖。

圖8是示出在根據一個實施方式的蝕刻方法中能夠使用的氣體種類及氣體流量與蝕刻模式之間的關系的圖。

圖9是示出根據一個實施方式的蝕刻方法中的基板溫度與蝕刻速率之間的關系的圖。

具體實施方式