[發明專利]蝕刻方法及基板處理裝置

在審

• 申請號: 202010781745.1
• 申請日: 2020-08-06
• 公開（公告）號: CN112349585A
• 公開（公告）日: 2021-02-09
• 發明（設計）人: 渡部誠一;山田纮己;佐藤學
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311;H01L21/67;H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578;H01J37/305
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 呂琳;樸秀玉

1.一種蝕刻方法，包括：

準備基板的工序，該基板具有第一基底層、形成在比所述第一基底層深的位置處的第二基底層、形成在所述第一基底層和所述第二基底層上的氧化硅膜、以及形成在所述氧化硅膜上的掩模，該掩模具有形成在所述第一基底層上方的第一開口和形成在所述第二基底層上方的第二開口；

使用第一氣體從所述第一開口對所述氧化硅膜進行蝕刻，使所述第一基底層暴露的工序；

使用第二氣體使沉積物在所述第一基底層上沉積，同時從所述第二開口對所述第二基底層上方的所述氧化硅膜進行蝕刻的工序；以及

使用第三氣體將沉積在所述第一基底層上的沉積物去除，同時從所述第二開口對所述第二基底層上方的所述氧化硅膜進行蝕刻的工序，

其中，將使用所述第二氣體進行蝕刻的工序和使用所述第三氣體進行蝕刻的工序重復多次。

2.根據權利要求1所述的蝕刻方法，其中，

所述第三氣體包含第一含CF氣體、以及氧氣，

所述第二氣體包含與所述第一含CF氣體不同的第二含CF氣體、以及氧氣。

3.根據權利要求2所述的蝕刻方法，其中，

所述第二含CF氣體的C/F比小于所述第一含CF氣體的C/F比。

4.根據權利要求2或3所述的蝕刻方法，其中，

預定的溫度范圍內的所述第二含CF氣體的吸附系數小于所述溫度范圍內的所述第一含CF氣體的吸附系數。

5.根據權利要求2至4中任一項所述的蝕刻方法，其中，

所述第一含CF氣體為C₄F₆，所述第二含CF氣體為C₃F₈。

6.根據權利要求2至5中任一項所述的蝕刻方法，其中，

所述第三氣體中所含的C/O比小于1.3，所述第二氣體中所含的C/O比為1.3以上。

7.根據權利要求2至6中任一項所述的蝕刻方法，其中，

所述第二氣體中所含的氧氣的流量少于所述第三氣體中所含的氧氣的流量。

8.根據權利要求4所述的蝕刻方法，其中，

預定的溫度范圍為110℃～160℃的范圍。

9.根據權利要求1至8中任一項所述的蝕刻方法，其中，

所述第一基底層和所述第二基底層為鎢。

10.根據權利要求1至8中任一項所述的蝕刻方法，其中，

所述第一基底層和所述第二基底層為硅。

11.根據權利要求1至10中任一項所述的蝕刻方法，其中，

使用所述第二氣體進行蝕刻的工序的處理時間短于使用所述第三氣體進行蝕刻的工序的處理時間。

12.根據權利要求1至11中任一項所述的蝕刻方法，其中，

對使用所述第二氣體進行蝕刻的工序和使用所述第三氣體進行蝕刻的工序進行重復的工序是在所述第二基底層暴露之前進行。

13.根據權利要求12所述的蝕刻方法，其中，

具有形成在比所述第二基底層深的位置處的第三基底層，在所述第三基底層上形成有所述氧化硅膜，

對使用所述第二氣體進行蝕刻的工序和使用所述第三氣體進行蝕刻的工序進行重復的工序是在所述第二基底層暴露之前進行了之后，在所述第二基底層暴露之后且所述第三基底層暴露之前進行。

14.一種基板處理裝置，包括：

供給氣體的氣體供給源；

施加高頻功率的高頻電源；

從所供給的氣體利用高頻功率生成等離子體的等離子體生成部；以及

控制部，

其中，所述控制部對以下工序進行控制：

準備基板的工序，該基板具有第一基底層、形成在比所述第一基底層深的位置處的第二基底層、形成在所述第一基底層和所述第二基底層上的氧化硅膜、以及形成在所述氧化硅膜上的掩模，該掩模具有形成在所述第一基底層上方的第一開口和形成在所述第二基底層上方的第二開口；

使用第一氣體從所述第一開口對所述氧化硅膜進行蝕刻，使所述第一基底層暴露的工序；

使用第二氣體使沉積物在所述第一基底層上沉積，同時從所述第二開口對所述第二基底層上方的所述氧化硅膜進行蝕刻的工序；以及

使用第三氣體將沉積在所述第一基底層上的沉積物去除，同時從所述第二開口對所述第二基底層上方的所述氧化硅膜進行蝕刻的工序，

所述控制部以將使用所述第二氣體進行蝕刻的工序和使用所述第三氣體進行蝕刻的工序重復多次的方式進行控制。