[發(fā)明專利]電子裝置經(jīng)多次破壞性測試的變形模擬方法

在審

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• 申請日: 2020-08-06
• 公開（公告）號: CN114065564A
• 公開（公告）日: 2022-02-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 歐柏毅
• 申請（專利權(quán)）人: 神訊電腦（昆山）有限公司;神基科技股份有限公司
• 主分類號: G06F30/23
• 分類號: G06F30/23;G06F119/14
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發(fā)明公開一種電子裝置經(jīng)多次破壞性測試的變形模擬方法，包括如下步驟：首先，建立N個有限元模型，且第i個有限元模型用于進行電子裝置經(jīng)第i次破壞性測試的有限元分析，以得到電子裝置經(jīng)第i次破壞性測試的數(shù)值解答，N為大于1的整數(shù)，且i為1至N的整數(shù)；接著，由i為1開始，萃取第i個有限元模型得到的數(shù)值解答作為第i+1個有限元模型的可讀數(shù)據(jù)，并讓第i+1個有限元模型根據(jù)該可讀數(shù)據(jù)來進行電子裝置經(jīng)第i+1次破壞性測試的有限元分析，直到第N個有限元模型進行完電子裝置經(jīng)第N次破壞性測試的有限元分析。因此，電子裝置上的至少一零件因應(yīng)變/應(yīng)力累積而致的變形或破壞將能夠有效測出。

【技術(shù)領(lǐng)域】

本發(fā)明涉及一種變形模擬方法，特別涉及一種電子裝置經(jīng)多次破壞性測試的變形模擬方法。

【背景技術(shù)】

在產(chǎn)品檢驗過程中，電子裝置可能需要經(jīng)多次破壞性測試。例如，電子裝置是以朝不同方位經(jīng)多次落下測試，并隨著撞擊次數(shù)的累加，電子裝置上的零件破壞程度也隨之提升。目前計算機輔助工程(Computer Aided Engineering，CAE)是以電子裝置受到單次破壞性測試的情境來進行動態(tài)模擬。這方式雖然可以有效達到零件變形或破壞的預(yù)測，但由于未考慮到應(yīng)變/應(yīng)力累積的效應(yīng)，所以有些零件因應(yīng)變/應(yīng)力累積而致的變形或破壞將不易測出。另外，不單在動態(tài)模擬，靜態(tài)模擬的應(yīng)變/應(yīng)力累積也是本領(lǐng)域的一項重要課題。

【發(fā)明內(nèi)容】

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的一實施例公開一種電子裝置經(jīng)多次破壞性測試的變形模擬方法，包括如下步驟：首先，建立N個有限元模型，且第i個有限元模型用于進行電子裝置經(jīng)第i次破壞性測試的有限元分析，以得到電子裝置經(jīng)第i次破壞性測試的數(shù)值解答，N為大于1的整數(shù)，且i為1至N的整數(shù)；接著，由i為1開始，萃取第i個有限元模型得到的數(shù)值解答作為第i+1個有限元模型的可讀數(shù)據(jù)，并讓第i+1個有限元模型根據(jù)該可讀數(shù)據(jù)來進行電子裝置經(jīng)第i+1次破壞性測試的有限元分析，直到第N個有限元模型進行完電子裝置經(jīng)第N次破壞性測試的有限元分析。

所述電子裝置經(jīng)多次破壞性測試的變形模擬方法適用于CAE中，且建立這N個有限元模型的步驟包括：獲得電子裝置的幾何模型；以及對該幾何模型進行前置處理，以網(wǎng)格化生成這N個有限元模型。

在所述電子裝置經(jīng)多次破壞性測試的變形模擬方法中，電子裝置的幾何模型是由計算機輔助設(shè)計(Computer Aided Design，CAD)軟體來制作。

在所述電子裝置經(jīng)多次破壞性測試的變形模擬方法中，萃取的數(shù)值解答為電子裝置上的至少一零件經(jīng)第i次破壞性測試的應(yīng)變結(jié)果與/或應(yīng)力結(jié)果。

在所述電子裝置經(jīng)多次破壞性測試的變形模擬方法中，第i個有限元模型和第i+1個有限元模型還用于進行電子裝置朝不同方位落下測試的有限元分析。

在所述電子裝置經(jīng)多次破壞性測試的變形模擬方法中，還包括：對第N個有限元模型得到的數(shù)值解答進行后置處理，以產(chǎn)生一圖表結(jié)果。

為使能更進一步了解本發(fā)明的特征及技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細說明與圖式，然而所提供的圖式僅用于提供參考與說明，并非用來對本發(fā)明加以限制。

【附圖說明】

圖1是本發(fā)明實施例的電子裝置經(jīng)多次破壞性測試的示意圖。

圖2是本發(fā)明實施例的電子裝置經(jīng)多次破壞性測試的變形模擬方法的步驟流程圖。

圖3是圖2的電子裝置經(jīng)多次破壞性測試的變形模擬方法用以文字方框表達的示意圖。

【具體實施方式】