[發明專利]一種多晶硅片制絨表面后處理貼蓋在審
| 申請號: | 202010780509.8 | 申請日: | 2020-08-06 |
| 公開(公告)號: | CN112002656A | 公開(公告)日: | 2020-11-27 |
| 發明(設計)人: | 郭革 | 申請(專利權)人: | 郭革 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;F26B21/00 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 136534 吉林*** | 國省代碼: | 吉林;22 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 多晶 硅片 表面 處理 | ||
1.一種多晶硅片制絨表面后處理貼蓋,包括處理貼蓋(1),其特征在于:所述處理貼蓋(1)內壁固定連接有第一彈性膜(2)和位于第一彈性膜(2)上側的第二彈性膜(3),所述第一彈性膜(2)與第二彈性膜(3)之間填充有氯化銨粉末(4),所述第二彈性膜(3)上側填充有八水氫氧化鋇粉末(5),所述第一彈性膜(2)內嵌設安裝有多個均勻分布的熱動力穿刺(6),所述第一彈性膜(2)底端開鑿有第一釋放孔(7),所述第一釋放孔(7)內壁固定連接有過濾網(8),所述第一彈性膜(2)底端固定連接有位于過濾網(8)外側的氣路單向閥(9),所述處理貼蓋(1)左內壁開鑿有第二釋放孔(10),所述處理貼蓋(1)上端設有位于第二釋放孔(10)孔口處的封閉貼膜(11)。
2.根據權利要求1所述的一種多晶硅片制絨表面后處理貼蓋,其特征在于:所述熱動力穿刺(6)包括嵌設在第一彈性膜(2)內的上刺針(12),所述上刺針(12)底端固定連接有連接細繩(13),所述連接細繩(13)遠離上刺針(12)的一端固定連接有擺動載球(14),所述擺動載球(14)外端固定連接有多個均勻分布的還原性鐵粉(15),所述處理貼蓋(1)內底端固定連接有內置液囊(16),所述內置液囊(16)內填充有磁流體(17)。
3.根據權利要求1所述的一種多晶硅片制絨表面后處理貼蓋,其特征在于:所述第二彈性膜(3)底端開鑿有多個均勻分布的預斷裂槽,所述預斷裂槽與上刺針(12)數量相同且均位于上刺針(12)正上方。
4.根據權利要求1所述的一種多晶硅片制絨表面后處理貼蓋,其特征在于:所述第二釋放孔(10)內填充有海綿塞柱(1001),所述海綿塞柱(1001)內填充有飽和食鹽水。
5.根據權利要求1所述的一種多晶硅片制絨表面后處理貼蓋,其特征在于:所述封閉貼膜(11)左底半面與處理貼蓋(1)固定連接,所述封閉貼膜(11)右底半面與處理貼蓋(1)相接觸。
6.根據權利要求1所述的一種多晶硅片制絨表面后處理貼蓋,其特征在于:所述封閉貼膜(11)底端固定連接有紫色石蕊試紙,所述紫色石蕊試紙設置為圓形且與第二釋放孔(10)的孔口相匹配。
7.根據權利要求1所述的一種多晶硅片制絨表面后處理貼蓋,其特征在于:所述連接細繩(13)由Ni-Ti記憶合金材質制成,所述連接細繩(13)的平衡溫度為40℃。
8.根據權利要求1所述的一種多晶硅片制絨表面后處理貼蓋,其特征在于:所述內置液囊(16)由橡膠材質制成,所述內置液囊(16)底端設有多個均勻分布的球形凸起。
9.根據權利要求1-8任意一項所述的一種多晶硅片制絨表面后處理貼蓋的使用方法,其特征在于:包括以下步驟:
S1、通過將處理貼蓋(1)蓋在多晶硅片上,可以借助熱動力穿刺(6)與空氣中的氧氣反應后產生的熱量,促使整個第一彈性膜(2)以及其上的熱動力穿刺(6)上移,迫使熱動力穿刺(6)將第二彈性膜(3)戳破;
S2、借助第二彈性膜(3)上側的八水氫氧化鋇粉末(5)與氯化銨粉末(4)混合并反應,迅速制冷的同時也能產生大量的氨氣,氣體從第一釋放孔(7)內排出并最終進入至第二釋放孔(10)內;
S3、借助氣體流動時借助對熱動力穿刺(6)的吹拂,可以促使熱動力穿刺(6)擺動的同時,對多晶硅片上的水進行吸收,從而加速水分的蒸發,以此實現對多晶硅片表面的冷干燥。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于郭革,未經郭革許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010780509.8/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





