[發明專利]金屬鎵去除裝置及金屬鎵去除方法有效
| 申請號: | 202010780119.0 | 申請日: | 2020-08-05 |
| 公開(公告)號: | CN112967948B | 公開(公告)日: | 2022-05-20 |
| 發明(設計)人: | 汪慶;許時淵;范春林;王斌 | 申請(專利權)人: | 重慶康佳光電技術研究院有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/683;H01L33/48;H01L27/15 |
| 代理公司: | 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240 | 代理人: | 白雪 |
| 地址: | 402760 重慶市璧*** | 國省代碼: | 重慶;50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 金屬 去除 裝置 方法 | ||
1.一種金屬鎵去除裝置,其特征在于,包括:
旋轉單元;
吸附單元,與所述旋轉單元相連,并在所述旋轉單元帶動下進行旋轉,所述吸附單元用于吸附一暫態基板;
其中,所述暫態基板背離所述吸附單元的一側表面粘附有發光器件;以及
加熱單元,用于對所述吸附單元進行加熱;
其中,所述加熱單元對所述吸附單元加熱后,所述發光器件表面的溫度大于或等于金屬鎵液化的溫度。
2.如權利要求1所述的金屬鎵去除裝置,其特征在于,所述吸附單元包括:
吸附基板,與所述旋轉單元固定連接;
吸附部,設置于所述吸附基板背離所述旋轉單元的一側表面,所述吸附部用于吸附所述暫態基板。
3.如權利要求2所述的金屬鎵去除裝置,其特征在于,所述加熱單元的加熱方式包括電極加熱或水浴加熱。
4.如權利要求3所述的金屬鎵去除裝置,其特征在于,所述加熱單元的加熱方式為水浴加熱時,其包括:
儲液單元,用于儲存并提供液體;
輸液管道,一端與所述儲液單元連通,另一端與所述吸附單元內部連通;
控溫單元,設置于所述輸液管道中,用于控制經所述輸液管道傳輸至所述吸附單元中的液體的溫度。
5.如權利要求4所述的金屬鎵去除裝置,其特征在于,所述吸附基板內部設置有輸液流道,所述輸液流道與所述輸液管道連通。
6.如權利要求1至5中任一項所述的金屬鎵去除裝置,其特征在于,還包括:
惰性氣體供應單元,用于使所述吸附單元處于惰性氣體環境;和/或,
抽真空單元,用于使所述吸附單元處于真空環境。
7.一種金屬鎵去除方法,其特征在于,基于一種金屬鎵去除裝置,所述裝置包括一旋轉單元,一吸附單元及一加熱單元;所述方法包括:
控制所述吸附單元吸附一暫態基板;其中,所述暫態基板背離所述吸附單元的一側表面粘附有發光器件;
控制所述加熱單元對所述吸附單元加熱,以使所述發光器件表面的溫度大于或等于金屬鎵液化的溫度;以及
控制所述旋轉單元帶動所述吸附單元旋轉,以使液化后的鎵在旋轉離心力的作用下脫離所述發光器件。
8.如權利要求7所述的金屬鎵去除方法,其特征在于,所述加熱單元的加熱方式包括電極加熱或水浴加熱。
9.如權利要求8所述的金屬鎵去除方法,其特征在于,所述加熱單元的加熱方式為水浴加熱時,所述加熱單元包括一儲液單元、一輸液管道及一控溫單元;
所述加熱過程包括:通過所述輸液管道將所述儲液單元中的液體傳輸至所述吸附單元中,并通過所述控溫單元控制所述液體的溫度。
10.如權利要求7至9中任一項所述的金屬鎵去除方法,其特征在于,加熱所述吸附單元以及控制所述吸附單元進行旋轉的步驟均在惰性氣體和/或真空環境中進行。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





