[發明專利]一種降低破損率的晶圓解鍵合方法及裝置

在審

• 申請號: 202010779201.1
• 申請日: 2020-08-05
• 公開（公告）號: CN112053937A
• 公開（公告）日: 2020-12-08
• 發明（設計）人: 陶超
• 申請（專利權）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L21/18
• 分類號: H01L21/18;H01L21/67
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 俞滌炯

本發明涉及半導體技術領域，公開了一種降低破損率的晶圓解鍵合方法及裝置。晶圓解鍵合方法中包括下述流程：步驟S1，提供一鍵合晶圓，鍵合晶圓包括堆疊的第一晶圓和第二晶圓；步驟S2，第一固定裝置固定第一晶圓的表面，第二固定裝置固定第二晶圓的表面；步驟S3，第一固定裝置發生形變并帶動第一晶圓發生形變，和/或第二固定裝置發生形變并帶動第二晶圓發生形變，以使第一晶圓與第二晶圓分離。本發明的技術方案有益效果在于：在晶圓解鍵合過程中，使晶圓受力均勻，避免晶圓損壞，降低晶圓的破損率。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，公開了一種降低破損率的晶圓解鍵合方法及裝置。

背景技術

現有技術中的晶圓解鍵合方法常采用的是上下卡盤真空吸附上晶圓和下晶圓，再將刀片插入上下晶圓的邊緣，使空氣進入鍵合界面，再通過電機控制上下卡盤向兩個方向移動，拉開兩片晶圓，完成分離。然而此種方法中上晶圓和下晶圓易受到刀片的擠壓作用，產生局部缺陷，此外，由于晶圓的邊緣部分最后分離，分離的力矩較大，導致晶圓的邊緣極易破損。

由此可見，現有技術中仍缺少一種使晶圓解鍵合并且避免晶圓損壞，降低晶圓破損率的方法。

發明內容

針對現有技術中存在的上述問題，現提供一種降低破損率的晶圓解鍵合方法及裝置。

一種降低破損率的晶圓解鍵合方法，包括：

步驟S1，提供一鍵合晶圓，鍵合晶圓包括堆疊的第一晶圓和第二晶圓；

步驟S2，第一固定裝置固定所述第一晶圓的表面，第二固定裝置固定所述第二晶圓的表面；

步驟S3，所述第一固定裝置發生形變并帶動所述第一晶圓發生形變，和 /或所述第二固定裝置發生形變并帶動所述第二晶圓發生形變，以使所述第一晶圓與所述第二晶圓分離。

優選的，所述第一固定裝置和所述第二固定裝置采用真空吸附固定所述第一晶圓和所述第二晶圓。

優選的，于所述第一固定裝置的內部設置空腔，和/或于所述第二固定裝置的內部設置空腔；在所述步驟S3中，通過向所述空腔內充氣的方式使所述第一固定裝置和/或所述第二固定裝置發生形變。

優選的，所述空腔包括充氣口。

優選的，所述第一固定裝置和/或所述第二固定裝置包括形狀記憶合金材料；在所述步驟S2中，所述第一固定裝置和/或所述第二固定裝置通過加熱方式發生形變。

優選的，所述步驟S3中還包括：第一運動裝置與所述第一固定裝置連接，帶動所述第一晶圓沿著遠離所述第二晶圓的第一方向運動，和/或第二運動裝置與所述第二固定裝置連接，帶動所述第二晶圓沿著背向所述第一方向的第二方向運動。

優選的，所述第一運動裝置為電機，和/或所述第二運動裝置為電機。

一種降低破損率的晶圓解鍵合裝置，用于對鍵合晶圓進行解鍵合，所述鍵合晶圓包括堆疊的第一晶圓和第二晶圓，包括：

第一固定裝置，用于固定所述第一晶圓的表面；

第二固定裝置，用于固定所述第二晶圓的表面；

所述第一固定裝置和/或所述第二固定裝置是可形變的，以帶動所述第一晶圓和/或所述第二晶圓發生形變，使所述第一晶圓與所述第二晶圓分離。

優選的，還包括：

設置在所述第一固定裝置的內部的空腔，用于向所述空腔充氣，使所述第一固定裝置發生形變，和/或設置在所述第二固定裝置的內部的空腔，用于向所述空腔充氣，使所述第二固定裝置發生形變。

優選的，所述第一固定裝置和/或所述第二固定裝置包括形狀記憶合金材料。