[發明專利]一種降低破損率的晶圓解鍵合方法及裝置

在審

• 申請號: 202010779201.1
• 申請日: 2020-08-05
• 公開（公告）號: CN112053937A
• 公開（公告）日: 2020-12-08
• 發明（設計）人: 陶超
• 申請（專利權）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L21/18
• 分類號: H01L21/18;H01L21/67
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 俞滌炯

1.一種降低破損率的晶圓解鍵合方法，其特征在于，包括：

步驟S1，提供一鍵合晶圓，鍵合晶圓包括堆疊的第一晶圓和第二晶圓；

步驟S2，第一固定裝置固定所述第一晶圓的表面，第二固定裝置固定所述第二晶圓的表面；

步驟S3，所述第一固定裝置發生形變并帶動所述第一晶圓發生形變，和/或所述第二固定裝置發生形變并帶動所述第二晶圓發生形變，以使所述第一晶圓與所述第二晶圓分離。

2.根據權利要求1所述的晶圓解鍵合方法，其特征在于，所述第一固定裝置和所述第二固定裝置采用真空吸附固定所述第一晶圓和所述第二晶圓。

3.根據權利要求1所述的晶圓解鍵合方法，其特征在于，于所述第一固定裝置的內部設置空腔，和/或于所述第二固定裝置的內部設置空腔；在所述步驟S3中，通過向所述空腔內充氣的方式使所述第一固定裝置和/或所述第二固定裝置發生形變。

4.根據權利要求3所述的晶圓解鍵合方法，其特征在于，所述空腔包括充氣口。

5.根據權利要求1所述的晶圓解鍵合方法，其特征在于，所述第一固定裝置和/或所述第二固定裝置包括形狀記憶合金材料；在所述步驟S2中，所述第一固定裝置和/或所述第二固定裝置通過加熱方式發生形變。

6.根據權利要求1所述的晶圓解鍵合方法，其特征在于，所述步驟S3中還包括：第一運動組件與所述第一固定裝置連接，帶動所述第一晶圓沿著遠離所述第二晶圓的第一方向運動，和/或第二運動組件與所述第二固定裝置連接，帶動所述第二晶圓沿著背向所述第一方向的第二方向運動。

7.根據權利要求6所述的晶圓解鍵合方法，其特征在于，所述第一運動組件為電機，和/或所述第二運動組件為電機。

8.一種降低破損率的晶圓解鍵合裝置，用于對鍵合晶圓進行解鍵合，所述鍵合晶圓包括堆疊的第一晶圓和第二晶圓，其特征在于，包括：

第一固定裝置，用于固定所述第一晶圓的表面；

第二固定裝置，用于固定所述第二晶圓的表面；

所述第一固定裝置和/或所述第二固定裝置是可形變的，以帶動所述第一晶圓和/或所述第二晶圓發生形變，使所述第一晶圓與所述第二晶圓分離。

9.根據權利要求8所述的晶圓解鍵合裝置，其特征在于，還包括：

設置在所述第一固定裝置的內部的空腔，用于向所述空腔充氣，使所述第一固定裝置發生形變，和/或設置在所述第二固定裝置的內部的空腔，用于向所述空腔充氣，使所述第二固定裝置發生形變。

10.根據權利要求8所述的晶圓解鍵合裝置，其特征在于，所述第一固定裝置和/或所述第二固定裝置包括形狀記憶合金材料。