[發明專利]半導體元件在審

申請號：	202010777383.9	申請日：	2020-08-05
公開（公告）號：	CN112599494A	公開（公告）日：	2021-04-02
發明（設計）人：	張盟昇;周紹禹;黃柏翔;傅安教;陳志豪	申請（專利權）人：	臺灣積體電路制造股份有限公司
主分類號：	H01L23/525	分類號：	H01L23/525;H01L23/00
代理公司：	北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006	代理人：	徐金國
地址：	中國臺灣新竹市***	國省代碼：	臺灣;71
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摘要：
搜索關鍵詞：	半導體元件
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【說明書】：

本案提供一種半導體元件，其包括具有功能性的部件。半導體元件進一步包括電連接至此部件的互連結構。互連結構用以將此部件電連接至信號。互連結構包括第一行導電元件及第二行導電元件。互連結構進一步包括與離此部件相距第一距離的第一導電位準上的第一熔絲，其中第一熔絲將第一行導電元件電連接至第二行導電元件。互連結構進一步包括與此部件相距第二距離的第二導電位準上的第二熔絲，其中第二熔絲將第一行導電元件電連接至第二行導電元件，并且第二距離不同于第一距離。

技術領域

本案是關于一種半導體元件，特別是關于一種半導體元件的制造方法。

背景技術

制造制程在互連結構中使用熔絲以在半導體元件內選擇性地改變電連接。通過燒斷半導體元件內的選定熔絲，使半導體元件的功能適于期望的功能性。使用熔絲調整半導體元件的功能性允許半導體元件的制造者對各種產品形成相同的結構，并且隨后選擇性地燒斷熔絲以便賦予半導體元件期望的功能性。此有助于增大生產效率。

在一些情況下，競爭者可設法通過分析半導體元件的功能性對制造的產品進行逆向工程。在嘗試逆向工程期間，對半導體元件執行研磨或平坦化制程以曝露一導電位準，此導電位準具有熔絲并辨識哪條熔絲完好及哪條熔絲燒斷。辨識半導體元件內熔絲的狀態有助于半導體元件的逆向工程。

發明內容

于一些實施方式中，半導體元件，包括具有一功能性的部件以及互連結構。互連結構電連接至部件，其中互連結構用以將部件電連接至一信號，且互連結構包括第一行導電元件、第二行導電元件、第一熔絲以及第二熔絲。第一熔絲在與部件相距一第一距離的一第一導電位準上，其中第一熔絲將第一行導電元件電連接至第二行導電元件。第二熔絲在與部件相距一第二距離的一第二導電位準上，其中第二熔絲將第一行導電元件電連接至第二行導電元件，并且第二距離不同于第一距離。

附圖說明

當結合附圖閱讀時，根據以下詳細描述可更好地理解本揭示案的態樣。應注意，根據工業標準實踐，各種特征未按比例繪制。事實上，為論述清楚，各特征的尺寸可任意地增加或縮小。

圖1為根據一些實施例的半導體元件的橫截面視圖；

圖2A至圖2D為根據一些實施例的包括信號路徑的半導體元件的橫截面視圖；

圖3為根據一些實施例的半導體元件的橫截面視圖；

圖4為根據一些實施例的包括信號路徑的半導體元件的橫截面視圖；

圖5A至圖5C為根據一些實施例的半導體元件的俯視圖；

圖6為根據一些實施例的半導體元件的俯視圖；

圖7為根據一些實施例的制造半導體元件的方法的流程圖；

圖8為根據一些實施例的集成電路(integrated circuit；IC)制造系統及與其關聯的IC制造流程的方塊圖；

圖9為根據一些實施例的用于實施制造半導體元件的方法的計算元件的方塊圖。

【符號說明】