[發(fā)明專利]導(dǎo)電圖案及其制造方法、以及包括導(dǎo)電圖案的顯示裝置

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010776374.8
• 申請(qǐng)日: 2020-08-05
• 公開（公告）號(hào): CN112349731A
• 公開（公告）日: 2021-02-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 白炅?xí)G;李周炫;申鉉億
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;H01L27/32;G02F1/1343
• 代理公司: 北京德琦知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018
• 代理人: 潘懷仁;孔麗君

1.一種導(dǎo)電圖案，所述導(dǎo)電圖案包括：

金屬層；和

設(shè)置在所述金屬層的第一表面上的第一低反射層，所述第一低反射層包括碳化鈮和氧化鋅。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電圖案，其中所述第一低反射層中包括的所述氧化鋅的量小于或等于50原子百分比。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電圖案，其中所述第一低反射層進(jìn)一步包括金屬。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的導(dǎo)電圖案，其中所述金屬包括鋁。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的導(dǎo)電圖案，其中所述第一低反射層中包括的所述金屬的量小于或等于5質(zhì)量百分比。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電圖案，進(jìn)一步包括：

設(shè)置在與所述第一表面相對(duì)的所述金屬層的第二表面上的第二低反射層，所述第二低反射層包括碳化鈮和氧化鋅。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的導(dǎo)電圖案，其中所述第二低反射層中包括的所述氧化鋅的量等于所述第一低反射層中包括的所述氧化鋅的量。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電圖案，其中所述第一低反射層的側(cè)壁接觸所述金屬層的側(cè)壁。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電圖案，其中所述第一低反射層的厚度小于所述金屬層的厚度。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電圖案，其中所述金屬層包括銅、鋁、鈦和鉬中的至少一種。

11.一種顯示裝置，所述顯示裝置包括：

基板；

設(shè)置在所述基板上的晶體管；

設(shè)置在所述晶體管上的顯示元件；

覆蓋所述顯示元件的封裝層；和

設(shè)置在所述基板和所述封裝層之間或設(shè)置在所述封裝層上的導(dǎo)電圖案，所述導(dǎo)電圖案包括：

金屬層；和

設(shè)置在所述金屬層的第一表面上的第一低反射層，所述第一低反射層包括碳化鈮和氧化鋅。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示裝置，其中所述金屬層設(shè)置在所述基板和所述第一低反射層之間。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示裝置，其中所述第一低反射層設(shè)置在所述基板和所述金屬層之間。

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示裝置，其中所述導(dǎo)電圖案進(jìn)一步包括設(shè)置在與所述第一表面相對(duì)的所述金屬層的第二表面上的第二低反射層，所述第二低反射層包括碳化鈮和氧化鋅。

15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示裝置，其中所述導(dǎo)電圖案設(shè)置在所述基板和所述封裝層之間，并且為用于將柵信號(hào)傳送至所述晶體管的柵線或用于將數(shù)據(jù)信號(hào)傳送至所述晶體管的數(shù)據(jù)線。

16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示裝置，其中所述導(dǎo)電圖案設(shè)置在所述封裝層上，并且為用于感測(cè)來自使用者的輸入的感測(cè)電極。

17.一種制造導(dǎo)電圖案的方法，所述方法包括：

形成金屬材料層；

在所述金屬材料層的第一表面上形成第一低反射材料層，所述第一低反射材料層包括碳化鈮和氧化鋅；和

通過蝕刻劑整體地蝕刻所述金屬材料層和所述第一低反射材料層。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述第一低反射材料層中包括的所述氧化鋅的量小于或等于50原子百分比。

19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述金屬材料層通過所述蝕刻劑蝕刻的蝕刻速率等于所述第一低反射材料層通過所述蝕刻劑蝕刻的蝕刻速率。

20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，進(jìn)一步包括：

在與所述第一表面相對(duì)的所述金屬材料層的第二表面上形成第二低反射材料層，所述第二低反射材料層包括碳化鈮和氧化鋅，

其中通過所述蝕刻劑整體地蝕刻所述第二低反射材料層與所述金屬材料層和所述第一低反射材料層。