[發明專利]電子器件及其制造方法

在審

• 申請號: 202010776086.2
• 申請日: 2020-08-05
• 公開（公告）號: CN113053945A
• 公開（公告）日: 2021-06-29
• 發明（設計）人: 柳時正
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L27/24
• 分類號: H01L27/24;H01L27/22;H01L43/02;H01L45/00
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理有限公司 11363
• 代理人: 王建國;李琳

半導體存儲器可以包括：交替層疊的可變電阻層和絕緣層；導電柱，其穿過可變電阻層和絕緣層；狹縫絕緣層，其穿過絕緣層并沿第一方向延伸；以及導電層，其插置在狹縫絕緣層與可變電阻層之間。在編程操作期間，所述可變電阻層可以保持非晶態。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2019年12月26日向韓國知識產權局提交的申請號為10-2019-0175654的韓國專利申請的優先權，其全部內容通過引用合并于此。

技術領域

本公開的各種實施例總體上涉及一種電子器件，并且更具體地，涉及一種包括半導體存儲器的電子器件以及該電子器件的制造方法。

背景技術

近來，隨著對電子設備的小型化、低功耗、高性能和多樣化的要求，在諸如計算機和便攜式通信設備的各種電子設備中需要被配置為儲存信息的半導體器件。因此，已經進行了關于半導體器件的研究，該半導體器件被配置為利用根據被施加的電壓或電流在不同電阻相位之間進行切換的特性來儲存數據。這種半導體器件的示例包括電阻式隨機存取存儲器(RRAM)、相變隨機存取存儲器(PRAM)、鐵電隨機存取存儲器(FRAM)、磁性隨機存取存儲器(MRAM)以及電熔絲等等。

發明內容

本公開的各個實施例針對具有改善的操作特性和存儲單元的可靠性的電子器件，以及制造該電子器件的方法。

本公開的實施例可以提供一種包括半導體存儲器的電子器件。所述半導體存儲器可以包括：交替層疊的可變電阻層與絕緣層；導電柱，其穿過所述可變電阻層和所述絕緣層；狹縫絕緣層，其穿過所述絕緣層，并沿第一方向延伸；以及導電層，其插置在所述狹縫絕緣層與所述可變電阻層之間。所述可變電阻層可以在編程操作期間保持非晶態。

本公開的實施例可以提供一種包括半導體存儲器的電子器件。所述半導體存儲器可以包括：層疊的絕緣層；第一可變電阻層，其與所述絕緣層交替地層疊，并且各自沿第一方向延伸；垂直位線，其穿過所述第一可變電阻層和所述絕緣層；第一狹縫絕緣層，其穿過所述絕緣層，并沿所述第一方向延伸；第二狹縫絕緣層，其穿過所述絕緣層，并沿所述第一方向延伸；第一字線，其各自插置在所述第一狹縫絕緣層與每個所述第一可變電阻層之間；以及第二字線，其各自插置在所述第二狹縫絕緣層與每個所述第一可變電阻層之間。第一存儲單元可以分別設置在所述垂直位線與所述第一字線之間，第二存儲單元可以分別設置在所述垂直位線與所述第二字線之間，并且每個所述第一存儲單元和每個所述第二存儲單元在第二方向上相鄰地設置，并且共享所述第一可變電阻層之中的對應的一個。

本公開的實施例可以提供一種制造包括半導體存儲器的電子器件的方法。所述方法可以包括：交替地形成第一可變電阻層與絕緣層；形成穿過所述第一可變電阻層和所述絕緣層的導電柱；形成穿過所述第一可變電阻層和所述絕緣層并沿第一方向延伸的狹縫；通過蝕刻經由所述狹縫暴露出的所述第一可變電阻層來形成開口；以及在各個開口中形成導電層。

附圖說明

圖1A和圖1B是用于描述根據本公開的實施例的電子器件的結構的圖。

圖2A和圖2B是示出根據本公開的實施例的半導體器件的結構的圖。

圖3A和圖3B是示出根據本公開的實施例的半導體器件的結構的圖。

圖4A和圖4B是示出根據本公開的實施例的半導體器件的結構的圖。

圖5A、圖5B和圖5C是示出根據本公開的實施例的制造電子器件的方法的圖。

圖6A、圖6B和圖6C是示出根據本公開的實施例的制造電子器件的方法的圖。

圖7A、圖7B、圖7C和圖7D是示出根據本公開的實施例的制造電子器件的方法的圖。

圖8是示出包含了根據實施例的存儲器件的微處理器的配置的圖。