[發(fā)明專利]電子器件及其制造方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202010776086.2
• 申請日: 2020-08-05
• 公開（公告）號: CN113053945A
• 公開（公告）日: 2021-06-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 柳時正
• 申請（專利權(quán)）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L27/24
• 分類號: H01L27/24;H01L27/22;H01L43/02;H01L45/00
• 代理公司: 北京弘權(quán)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11363
• 代理人: 王建國;李琳

1.一種電子器件，所述電子器件包括半導(dǎo)體存儲器，所述半導(dǎo)體存儲器包括：

可變電阻層和絕緣層，所述可變電阻層和所述絕緣層交替地層疊；

導(dǎo)電柱，所述導(dǎo)電柱穿過所述可變電阻層和所述絕緣層；

狹縫絕緣層，所述狹縫絕緣層穿過所述絕緣層，并且沿第一方向延伸；和

導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層插置在所述狹縫絕緣層與所述可變電阻層之間，

其中，所述可變電阻層在編程操作期間保持非晶態(tài)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件，其中，每個所述絕緣層包括突出部，所述突出部在截面圖中相比于所述可變電阻層之中的對應(yīng)的一個而突出，并且所述導(dǎo)電層與所述突出部交替地層疊。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件，其中，每個所述可變電阻層包圍所述導(dǎo)電柱的側(cè)壁，并且沿所述第一方向延伸。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件，其中，每個所述可變電阻層的一部分插置在沿所述第一方向彼此相鄰設(shè)置的一對導(dǎo)電柱之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件，其中，每個所述可變電阻層插置在沿與所述第一方向相交的第二方向彼此相鄰設(shè)置的一對所述導(dǎo)電層之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件，其中，所述可變電阻層包括非晶硫?qū)倩铩?/p>

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件，其中，存儲單元被設(shè)置在所述導(dǎo)電柱與所述導(dǎo)電層交叉的各個區(qū)域中。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件，還包括相變層，所述相變層分別插置在所述可變電阻層與所述導(dǎo)電層之間。

9.一種電子器件，所述電子器件包括半導(dǎo)體存儲器，所述半導(dǎo)體存儲器包括：

層疊的絕緣層；

第一可變電阻層，所述第一可變電阻層與所述絕緣層交替地層疊，并且各自沿第一方向延伸；

垂直位線，所述垂直位線穿過所述第一可變電阻層和所述絕緣層；

第一狹縫絕緣層，所述第一狹縫絕緣層穿過所述絕緣層，并沿所述第一方向延伸；

第二狹縫絕緣層，所述第二狹縫絕緣層穿過所述絕緣層，并沿所述第一方向延伸；

第一字線，所述第一字線各自插置在所述第一狹縫絕緣層與每個所述第一可變電阻層之間；和

第二字線，所述第二字線各自插置在所述第二狹縫絕緣層與每個所述第一可變電阻層之間，

其中，第一存儲單元分別被設(shè)置在所述垂直位線與所述第一字線之間，第二存儲單元分別被設(shè)置在所述垂直位線與所述第二字線之間，并且每個所述第一存儲單元和每個所述第二存儲單元在第二方向上相鄰地設(shè)置，并且共享所述第一可變電阻層之中的對應(yīng)的一個。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電子器件，其中，每個所述第一可變電阻層的一部分填充被限定在所述第一方向上彼此相鄰設(shè)置的一對所述垂直位線之間的空間。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電子器件，其中，在編程操作期間，所述第一可變電阻層保持非晶態(tài)。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電子器件，還包括：第二可變電阻層，所述第二可變電阻層包括第一多個第二可變電阻層和第二多個第二可變電阻層，所述第一多個第二可變電阻層被分別插置在所述第一可變電阻層與所述第一字線之間，所述第二多個第二可變電阻層被分別插置在所述第一可變電阻層與所述第二字線之間。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的電子器件，還包括電極層，所述電極層插置在所述第一可變電阻層與所述第二可變電阻層之間。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的電子器件，其中，在編程操作期間，所述第一可變電阻層保持非晶態(tài)，并且所述第二可變電阻層發(fā)生相變。