[發(fā)明專利]一種適用于大尺寸觸摸屏的導(dǎo)電膜及其制備方法

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• 申請日: 2020-08-04
• 公開（公告）號: CN111785411A
• 公開（公告）日: 2020-10-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鄭琦林;鞏燕龍;廖曉芮;張紅;高峰;張浩;劉月豹
• 申請（專利權(quán)）人: 安徽方興光電新材料科技有限公司
• 主分類號: H01B5/14
• 分類號: H01B5/14;H01B13/00;G06F3/041
• 代理公司: 昆明合眾智信知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所 53113
• 代理人: 劉靜怡

本發(fā)明公開了一種適用于大尺寸觸摸屏的導(dǎo)電膜，包括PET基材層，所述PET基材層上方依次設(shè)置有非氧化單晶硅層、氮化硅層、SiO₂層和ITO層，所述PET基材層厚度設(shè)置為23um，所述非氧化單晶硅層厚度設(shè)置為0.9～1.2nm，所述氮化硅層厚度設(shè)置為15.9～17.5nm，所述SiO₂層厚度設(shè)置為22.8～23.9nm，所述ITO層厚度設(shè)置為129～140nm。本發(fā)明在鍍膜前首先進(jìn)行鈦靶轟擊，改變膜層表面微型面貌，增加膜層附著力，非氧化單晶硅的引入進(jìn)一步活化了膜層，為后面濺射打下了堅實(shí)的基礎(chǔ)，防止膜層過厚導(dǎo)致鍍層脫落，科學(xué)控制氣體在腔室內(nèi)分布，膜層均勻化最優(yōu)，成品應(yīng)用在86寸大尺寸觸摸屏上不會出現(xiàn)明顯可感的延遲現(xiàn)象。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及導(dǎo)電觸摸屏技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種適用于大尺寸觸摸屏的導(dǎo)電膜及其制備方法。

背景技術(shù)

目前面上常見的柔性導(dǎo)電膜多使用卷對卷真空磁控濺射技術(shù)，生產(chǎn)出的產(chǎn)品方阻大多在100Ω/口及以上，廣泛應(yīng)用于手機(jī)、平板等電子設(shè)備。其后端TP(Touch Panel)使用蝕刻后的導(dǎo)電膜用來捕捉觸摸信號，應(yīng)用在大尺寸觸摸屏上時，由于方阻高、通道長，導(dǎo)致觸摸信號從發(fā)出到接受的時間差較長，也就是觸控延遲現(xiàn)象。高方阻導(dǎo)電膜制約了顯示屏尺寸大小，低阻(100Ω/口及以下)導(dǎo)電膜由于其方阻低，反應(yīng)時間短，靈敏度高，恰能解決觸控延遲問題。目前大尺寸觸摸屏正成為行業(yè)內(nèi)新的趨勢，可應(yīng)用教室、商場、辦公室、醫(yī)院等場所，給人們的生產(chǎn)生活帶來便捷。

針對高方阻導(dǎo)電膜應(yīng)用在86寸等大尺寸觸摸屏上出現(xiàn)觸控延遲現(xiàn)象，我司自主研發(fā)的柔性低阻高透導(dǎo)電膜能很好的解決這一問題。目前也有同行生產(chǎn)出了低阻柔性導(dǎo)電膜，但在生產(chǎn)中，ITO層的厚度與其方阻成反比，即ITO層越厚方阻越低，ITO層越薄方阻越高，要想得到低阻導(dǎo)電膜就需要增加ITO層厚度，但I(xiàn)TO層厚度增加，導(dǎo)電膜就會變黃；行業(yè)內(nèi)使用的PET基材大多為50-188um，較厚的基材將使大尺寸觸摸屏變得更加笨重。目前低阻導(dǎo)電膜鍍層厚度均超過100nm，鍍膜過后將導(dǎo)致成品較脆，彎折容易發(fā)生鍍層脫落。對于高方阻產(chǎn)品，ITO層較薄，腔室內(nèi)氣體分布對整體產(chǎn)品均勻性影響較小；針對低阻產(chǎn)品，鍍層較厚，腔室內(nèi)氣體分布將會直接影響成品整體性能均勻性。

現(xiàn)有柔性導(dǎo)電膜多用于小尺寸觸摸屏，應(yīng)用在大尺寸觸摸屏?xí)r由于通道過長，導(dǎo)致反應(yīng)延遲。在人機(jī)交互迅猛發(fā)展的今天，觸摸屏出現(xiàn)延遲是致命的。在未來，大尺寸觸控顯示上的人機(jī)交互勢必成為趨勢，這就對柔性導(dǎo)電膜的要求很高。目前市場上出現(xiàn)的大尺寸屏幕，例如交互電視，其尺寸過大，使用時可明顯感受到延遲，并未受到廣大消費(fèi)者的青睞。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種適用于大尺寸觸摸屏的導(dǎo)電膜及其制備方法，以解決上述背景技術(shù)中提出的問題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：

一種適用于大尺寸觸摸屏的導(dǎo)電膜，包括PET基材層，所述PET基材層上方依次設(shè)置有非氧化單晶硅層、氮化硅層、SiO₂層和ITO層，所述PET基材層厚度設(shè)置為23um，所述非氧化單晶硅層厚度設(shè)置為0.9～1.2nm，所述氮化硅層厚度設(shè)置為15.9～17.5nm，所述SiO₂層厚度設(shè)置為22.8～23.9nm，所述ITO層厚度設(shè)置為129～140nm。

優(yōu)選的，所述PET基材層遠(yuǎn)離非氧化單晶硅層一側(cè)連接有OCA光學(xué)膠層，所述OCA光學(xué)膠層厚度設(shè)置為22nm。

優(yōu)選的，所述非氧化單晶硅層厚度設(shè)置為1nm。

優(yōu)選的，所述氮化硅層厚度設(shè)置為16.7nm。

優(yōu)選的，所述SiO₂層厚度設(shè)置為23.3nm。

優(yōu)選的，所述ITO層厚度設(shè)置為132nm。

優(yōu)選的，所述氮化硅層為氮化物Si₃N₄。