[發(fā)明專利]一種適用于大尺寸觸摸屏的導(dǎo)電膜及其制備方法

在審

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• 申請日: 2020-08-04
• 公開（公告）號: CN111785411A
• 公開（公告）日: 2020-10-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄭琦林;鞏燕龍;廖曉芮;張紅;高峰;張浩;劉月豹
• 申請（專利權(quán)）人: 安徽方興光電新材料科技有限公司
• 主分類號: H01B5/14
• 分類號: H01B5/14;H01B13/00;G06F3/041
• 代理公司: 昆明合眾智信知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所 53113
• 代理人: 劉靜怡

1.一種適用于大尺寸觸摸屏的導(dǎo)電膜，包括PET基材層(1)，其特征在于：所述PET基材層(1)上方依次設(shè)置有非氧化單晶硅層(2)、氮化硅層(3)、SiO₂層(4)和ITO層(5)，所述PET基材層(1)厚度設(shè)置為23um，所述非氧化單晶硅層(2)厚度設(shè)置為0.9～1.2nm，所述氮化硅層(3)厚度設(shè)置為15.9～17.5nm，所述SiO₂層(4)厚度設(shè)置為22.8～23.9nm，所述ITO層(5)厚度設(shè)置為129～140nm。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種適用于大尺寸觸摸屏的導(dǎo)電膜，其特征在于：所述PET基材層(1)遠(yuǎn)離非氧化單晶硅層(2)一側(cè)連接有OCA光學(xué)膠層(6)，所述OCA光學(xué)膠層(6)厚度設(shè)置為22nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種適用于大尺寸觸摸屏的導(dǎo)電膜，其特征在于：所述非氧化單晶硅層(2)厚度設(shè)置為1nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種適用于大尺寸觸摸屏的導(dǎo)電膜，其特征在于：所述氮化硅層(3)厚度設(shè)置為16.7nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種適用于大尺寸觸摸屏的導(dǎo)電膜，其特征在于：所述SiO₂層(4)厚度設(shè)置為23.3nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種適用于大尺寸觸摸屏的導(dǎo)電膜，其特征在于：所述ITO層(5)厚度設(shè)置為132nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種適用于大尺寸觸摸屏的導(dǎo)電膜，其特征在于：所述氮化硅層(3)為氮化物Si₃N₄。

8.一種制備方法，用于制備權(quán)利要求1-7任意一項(xiàng)所述適用于大尺寸觸摸屏的導(dǎo)電膜，其特征在于，包括以下步驟：

S101、制備厚度為23um的PET基材層(1)，并對PET基材層(1)表面進(jìn)行預(yù)處理鈦靶濺射；

S102、在PET基材層(1)表面通過硅靶濺射的方式濺射一層厚度為0.9～1.2nm的非氧化單晶硅層(2)；

S103、在非氧化單晶硅層(2)上濺射一層厚度為15.9～17.5nm的氮化硅層(3)，通入氮?dú)?00sccm，氬氣100sccm，濺射功率為20-27KW；

S104、在氮化硅層(3)上通過真空磁控濺射鍍膜形成一層厚度為22.8～23.9nm的SiO₂層(4)，真空磁控濺射過程中硅靶腔室中通入氧氣100-130sccm，氬氣100sccm，硅靶濺射總功率為20-27KW，硅靶腔室中通入氧氣模式為自動；

S105、在SiO₂層(4)上通過真空磁控濺射鍍膜形成一層厚度為129～140nm的ITO層(5)，真空磁控濺射過程中ITO靶腔室中通入氬氧混合氣，氬氧混合氣中氬氣和氧氣所占比例分別為93：7，氬氧混合氣的流量為43-60sccm，ITO靶濺射總功率為17-23KW；

其中，在S103步驟制備氮化硅層(3)時(shí)，氮?dú)庠诎胁倪h(yuǎn)離靶電源一端的Drive側(cè)和靶材靠近靶電源一端的Trolley側(cè)分布均為25％，中間Center處為50％，氬氣在靶材遠(yuǎn)離靶電源一端的Drive側(cè)和靶材靠近靶電源一端的Trolley側(cè)分布均為25％，中間Center處為50％；

在S104步驟制備SiO₂層(4)時(shí)，氧氣在靶材遠(yuǎn)離靶電源一端的Drive側(cè)和靶材靠近靶電源一端的Trolley側(cè)分布均為25％，中間Center處為50％，氬氣在靶材遠(yuǎn)離靶電源一端的Drive側(cè)和靶材靠近靶電源一端的Trolley側(cè)分布均為25％，中間Center處為50％；

在S105步驟制備ITO層(5)時(shí)，氬氧混合氣在靶材遠(yuǎn)離靶電源一端的Drive側(cè)分布為40％、在靶材靠近靶電源一端的Trolley側(cè)為20％，中間Center處為40％。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種制備方法，其特征在于：在所述PET基材層(1)遠(yuǎn)離非氧化單晶硅層(2)一側(cè)貼附形成一層厚度為22nm的OCA光學(xué)膠層(6)。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種制備方法，其特征在于：任意一個(gè)需要進(jìn)行鍍膜的步驟中其鍍膜階段走速均為1.5-2.0m/min。