[發(fā)明專利]一種雙斷口快速真空滅弧室

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010773560.6
• 申請日: 2020-08-04
• 公開（公告）號: CN111952111B
• 公開（公告）日: 2022-08-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鄭文武;李海國;郭樹山
• 申請（專利權(quán)）人: 山東正本電氣有限公司
• 主分類號: H01H33/664
• 分類號: H01H33/664;H01H33/666;H01H33/662
• 代理公司: 濟南舜源專利事務(wù)所有限公司 37205
• 代理人: 楊彬

本發(fā)明公開一種雙斷口快速真空滅弧室，屬于電氣技術(shù)領(lǐng)域，包括上殼體、下殼體、進線導桿、出線靜觸頭座和導向裝置，出線靜觸頭座固定連接有出線靜觸頭基體，出線靜觸頭基體上開設(shè)有出線凹槽；進線導桿貫穿上殼體，進線導桿內(nèi)端連接有進線靜觸頭座；進線靜觸頭座與出線靜觸頭基體間隔設(shè)置，進線靜觸頭座上開設(shè)有進線凹槽；導向裝置一端設(shè)有輔助觸頭，導向裝置帶動輔助觸頭移動，輔助觸頭對進線靜觸頭座與出線靜觸頭基體連通和斷開，實現(xiàn)真空滅弧室的電氣通斷功能；合閘時，進線凹槽、出線凹槽與輔助觸頭契合接觸，減小合閘彈跳次數(shù)和幅值；雙斷口結(jié)構(gòu)，開斷能力大，觸頭開距小，能提高快速分合閘能力，提高整體電氣性能和機械壽命。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于電氣技術(shù)領(lǐng)域，具體地說是一種雙斷口快速真空滅弧室。

背景技術(shù)

在高壓電氣技術(shù)領(lǐng)域，特別是大電流高速斷路器中，往往采用真空滅弧室代替?zhèn)鹘y(tǒng)的機械觸頭。真空滅弧室中的真空度一般在10-4pa左右，間隙絕緣是很高的，所以真空滅弧室的觸頭開距可以做到很小，其動觸頭利用金屬制成的波紋管與操動機構(gòu)聯(lián)動伸縮操作。

電網(wǎng)負荷特性的日益復雜導致連接在電力系統(tǒng)負荷極易受到來自電力系統(tǒng)擾動的影響，如電壓跌落和突升現(xiàn)象，因而對電能質(zhì)量和運行可靠性提出了愈加嚴格的要求。為保護敏感性的重要工業(yè)負荷以及提高電力系統(tǒng)的電能質(zhì)量，需要保護性器件-高壓斷路器具有很高速度的合、分閘特性。

目前與高壓斷路器配套的真空滅弧室，由于額定電流很大導致動觸頭質(zhì)量大，運動部件(絕緣拉桿等)質(zhì)量也比較大。它們對開關(guān)機械特性的限定是平均分閘速度不超過1.3m/s，平均合閘速度不超過0.8m/s。而高速開關(guān)一般要求分合閘速度最低在1.8m/s以上，在這種情況下使用現(xiàn)有的真空滅弧室，由于動觸頭等運動部件質(zhì)量大，在高速運動的情況下產(chǎn)生非常大的運動動能，容易造成觸頭撞擊損壞且合閘彈跳加劇，使其電氣性能和機械壽命都下降。

目前尚無與高速開關(guān)性能參數(shù)完全配套的真空滅弧室產(chǎn)品，如使用現(xiàn)有常規(guī)產(chǎn)品，將導致產(chǎn)品性能不佳，壽命大打折扣，達不到產(chǎn)業(yè)化要求。

發(fā)明內(nèi)容

為解決現(xiàn)今的真空滅弧室高速合分閘時，在高速運動的情況下產(chǎn)生非常大的運動動能，容易造成觸頭撞擊損壞且合閘彈跳加劇，使其電氣性能和機械壽命都下降，導致產(chǎn)品性能不佳，壽命大打折扣，達不到產(chǎn)業(yè)化要求的問題，本發(fā)明提供一種雙斷口快速真空滅弧室。

本發(fā)明是通過下述技術(shù)方案來實現(xiàn)的。

一種雙斷口快速真空滅弧室，包括上殼體、下殼體、進線導桿、出線靜觸頭座和導向裝置，所述出線靜觸頭座固定安裝于上殼體與下殼體之間，其內(nèi)側(cè)固定連接有出線靜觸頭基體，所述出線靜觸頭基體上開設(shè)有出線凹槽；所述進線導桿貫穿所述上殼體，且與上殼體固定連接，所述進線導桿的內(nèi)端連接有進線靜觸頭座；所述進線靜觸頭座與出線靜觸頭基體間隔設(shè)置，且進線靜觸頭座上開設(shè)有進線凹槽；所述導向裝置滑動安裝在下殼體上，且靠近所述進線導桿的一端設(shè)有與所述進線凹槽和出線凹槽契合的輔助觸頭，所述導向裝置帶動輔助觸頭移動，對出線靜觸頭基體與進線靜觸頭座連通或斷開。

本發(fā)明的進一步改進還有，上述進線凹槽和出線凹槽均呈V型的圓周槽，且兩者在同一平面的圓周上；所述輔助觸頭呈與所述圓周槽契合的環(huán)形結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明的進一步改進還有，上述圓周槽的開口為直角形狀，所述輔助觸頭呈與所述圓周槽契合的直角折彎板狀結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明的進一步改進還有，上述出線靜觸頭座呈環(huán)形結(jié)構(gòu)，所述靜觸頭基體至少設(shè)置為兩個，且間隔均勻的分布于所述出線靜觸頭座的環(huán)形內(nèi)壁上。

本發(fā)明的進一步改進還有，上述進線靜觸頭座通過定位銷與所述上殼體固定連接。

本發(fā)明的進一步改進還有，上述進線凹槽和出線凹槽表面均覆有觸頭層。