[發明專利]一種引線框架的電鍍方法

在審

• 申請號: 202010773035.4
• 申請日: 2020-08-04
• 公開（公告）號: CN111850643A
• 公開（公告）日: 2020-10-30
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 天水華洋電子科技股份有限公司
• 主分類號: C25D7/00
• 分類號: C25D7/00;C25D3/12;C25D3/38;C25D3/46;C25D5/02;C25D5/12
• 代理公司: 北京金宏來專利代理事務所(特殊普通合伙) 11641
• 代理人: 許振強

本發明公開了一種引線框架的電鍍方法，屬于引線框架電鍍技術領域。本發明的引線框架的電鍍方法主要通過電鍍銀層、電鍍液處理和電鍍處理這三個步驟來實現。本發明利用不溶性陽極對被電鍍物進行反復電鍍，并采用獨立電鑄材料進行處理，能夠進行多次多區域的電鍍處理，能夠顯著提高引線框架的使用壽命。利用本發明的方法對引線框架的電鍍處理進行電鍍處理時，其溶液流速為6～9m/sec，陽極面積與陰極面積的比為6～8:1，電鍍速率為0.7～1.2um/sec，陰極效率達到了95.7％～97.3％。本發明進行電鍍處理1000次～4000次，電鍍的均勻性以及電鍍層的外觀特性，均表現為良，明顯優于常規電鍍處理，效果顯著。

技術領域

本發明屬于引線框架電鍍技術領域，具體涉及一種引線框架的電鍍方法。

背景技術

引線框架作為集成電路的芯片載體，是一種借助于鍵合材料實現芯片內部電路引出端與外引線的電氣連接，形成電氣回路的關鍵結構件，它起到了和外部導線連接的橋梁作用，絕大部分的半導體集成塊中都需要使用引線框架，是電子信息產業中重要的基礎材料。

目前常用的電鍍的方式有全浸鍍、選擇浸鍍、刷鍍、局部鍍等，其中全浸鍍適合對整個引線框架進行全面電鍍，進行打底電鍍和功能層全鍍。經現有文獻檢索發現，中國專利公開號CN106521583A，公開日2017年3月22日的專利申請公開了一種引線框架的電鍍方法，該發明通過貼干膜、曝光與顯影、電鍍和退膜這四個步驟來實現實現引線框架的電鍍處理，雖然其采用干膜作為保護膜，成本較低，只能適應單一區域的電鍍處理，但是其電鍍的均勻性以及電鍍層的外觀特性較差，無法滿足多區域引線框的電鍍處理。

發明內容

本發明的目的在于提供一種電鍍的均勻性以及電鍍層的外觀特性號，可實現多區域引線框的電鍍的引線框架的電鍍方法。

為了實現上述發明目的，本發明采用以下技術方案：

一種引線框架的電鍍方法，包括如下步驟：

1)電鍍銀層：將陣列排列的引線框架拼版的所有單元窗口分為交錯排列的3組，分別進行電鍍銀層；

2)電鍍液處理：將陽極和在表面上形成有導孔的襯底浸沒在電鍍槽中的電鍍液內，陽極被配置成與所述襯底的表面相對，采用不溶性陽極對被電鍍物進行反復電鍍，并采用獨立電鑄材料進行處理；

3)電鍍處理：將引線框架放入酵母浸粉、檸檬酸三鈉和濕菲林溶液中進行電鍍，然后進行曝光和顯影，隨后對引線框架的表面浸預鍍銅和鍍鎳，對已鍍鎳的引線框架的表面浸預鍍銅，之后再將引線框架的表面全浸預鍍銀，形成電鍍層，完成引線框架的電鍍處理。

進一步地，所述電鍍銀層能夠產生700～750℃的極限拉伸強度。

進一步地，所述用電鍍液電鍍處理后用10～15mL/L的硫酸和4～5g/L的鐵的酸處理液在35～38℃范圍內處理膜載帶30～40s。

進一步地，所述的電鍍液由無水硫酸銅50～60g/L、光亮劑1～5mg/L、Fe³⁺30～40mg/L、氨基磺酸5～8mg/L、去離子水800～900mL制備而成。

進一步地，所述步驟1)中交錯排列的第1組單元窗口的進行電鍍處理前，利用第2組單元或第3組單元窗口進行遮擋；所述交錯排列的第2組單元窗口的進行電鍍處理前，利用第1組單元或第3組單元窗口進行遮擋；所述交錯排列的第3組單元窗口的進行電鍍處理前，利用第1組單元或第2組單元窗口進行遮擋。

與現有技術相比，本發明的有益效果是：

1)本發明利用不溶性陽極對被電鍍物進行反復電鍍，并采用獨立電鑄材料進行處理，能夠進行多次多區域的電鍍處理，能夠顯著提高引線框架的使用壽命。