[發(fā)明專利]LED外延片分布式布拉格反射鏡的制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010772351.X | 申請日: | 2020-08-04 |
| 公開(公告)號: | CN111900241A | 公開(公告)日: | 2020-11-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 宋海飛;賈杰 | 申請(專利權(quán))人: | 聚燦光電科技(宿遷)有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/46 | 分類號: | H01L33/46;C23C14/02;C23C14/08;C23C14/10;C23C14/30 |
| 代理公司: | 蘇州威世朋知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 郭紅巖 |
| 地址: | 223800 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | led 外延 分布式 布拉格 反射 制備 方法 | ||
本發(fā)明揭示了一種LED外延片分布式布拉格反射鏡的制備方法,所述方法包括:將石英環(huán)繞其中心軸以第一方向旋轉(zhuǎn)第一角度,使電子束掃過與旋轉(zhuǎn)第一角度對應(yīng)的石英環(huán)扇形區(qū)域,對所述扇形區(qū)域進行預(yù)處理;將石英環(huán)繞其中心軸以與第一方向相反的第二方向旋轉(zhuǎn)第一角度,使電子束再次掃過所述扇形區(qū)域,以在LED外延片的背面生長第一折射率的第一DBR層;在所述第一DBR層上生長第二折射率的第二DBR層。本發(fā)明通過預(yù)處理去除石英環(huán)表面的雜質(zhì),確保生長后形成的第一DBR層與LED外延片的粘附性強,不易脫落。而且通過調(diào)整石英環(huán)旋轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)速和時間可以精確地控制預(yù)處理過程中石英環(huán)的蒸發(fā)量,以確保石英環(huán)不會產(chǎn)生過大的浪費。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及LED芯片制程,特別涉及一種LED外延片分布式布拉格反射鏡的制備方法。
背景技術(shù)
LED(Light-Emitting Diode)是發(fā)光二極管的簡稱,其是一種常用的發(fā)光器件,通過電子與空穴復合釋放能量發(fā)光。LED作為一種新型節(jié)能、環(huán)保固態(tài)照明光源,具有能效高、體積小、重量輕、響應(yīng)速度快以及壽命長等優(yōu)點,使其在很多領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。
LED外延片的背面具有分布式布拉格反射鏡(Distribute Bragg Reflection,一般簡稱DBR),其具有周期性層疊的超晶格層,由兩種不同折射率的材料以ABAB的方式交替排列組成的周期結(jié)構(gòu)。氧化硅是分布式布拉格反射鏡中常見的一種材質(zhì),其原料是石英。常見的石英形狀之一為環(huán)形,即采用石英環(huán)為原料制備具有氧化硅材質(zhì)的分布式布拉格反射鏡。電子槍加熱石英環(huán)后通過氣相沉積的方式使氧化硅生長在LED外延片的背面生產(chǎn)一層DBR結(jié)構(gòu)。但是,如果石英環(huán)上存在雜質(zhì),生長后的第一DBR層與LED外延片的結(jié)合力差,同時由于雜質(zhì)的存在使第一DBR層的折射率不符合要求。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種LED外延片分布式布拉格反射鏡的制備方法,其目的是降低石英環(huán)的雜質(zhì)。
為實現(xiàn)上述發(fā)明目的之一,本發(fā)明一實施方式提供一種LED外延片分布式布拉格反射鏡的制備方法,所述方法包括:
將石英環(huán)繞其中心軸以第一方向旋轉(zhuǎn)第一角度,使電子束掃過與旋轉(zhuǎn)第一角度對應(yīng)的石英環(huán)扇形區(qū)域,對所述扇形區(qū)域進行預(yù)處理;
將石英環(huán)繞其中心軸以與第一方向相反的第二方向旋轉(zhuǎn)第一角度,使電子束再次掃過所述扇形區(qū)域,以在LED外延片的背面生長第一折射率的第一DBR層;
在所述第一DBR層上生長第二折射率的第二DBR層。
作為本發(fā)明一實施方式的進一步改進,在“生長第二DBR層”步驟前,所述方法還包括:
對第一DBR層進行粘附性測試。
作為本發(fā)明一實施方式的進一步改進,若所述粘附性測試合格,則交替生長第二DBR層和第一DBR層。
作為本發(fā)明一實施方式的進一步改進,若所述粘附性測試不合格,則去除第一DBR層后重新預(yù)處理石英環(huán)和生長第一DBR層。
作為本發(fā)明一實施方式的進一步改進,所述去除第一DBR層具體為:
在LED外延片的正面貼附保護膜;
蝕刻第一DBR層;
去除保護膜。
作為本發(fā)明一實施方式的進一步改進,第一次預(yù)處理石英環(huán)時所述石英環(huán)的旋轉(zhuǎn)周期為第一周期,時間為第一預(yù)處理時間;
所述重新預(yù)處理石英環(huán)具體為:
將石英環(huán)繞其中心軸旋轉(zhuǎn),使電子束掃過石英環(huán)另一扇形區(qū)域,對所述另一扇形區(qū)域進行預(yù)處理,旋轉(zhuǎn)時間為第二預(yù)處理時間,旋轉(zhuǎn)周期為第二周期;所述第二周期為所述第一周期加周期變量值,所述第二預(yù)處理時間為第一預(yù)處理時間加時間變量值。
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