[發明專利]一種YIG濾波器抗輻射附加屏蔽結構及帶有該附加屏蔽結構的濾波器

在審

• 申請號: 202010772164.1
• 申請日: 2020-08-04
• 公開（公告）號: CN111787778A
• 公開（公告）日: 2020-10-16
• 發明（設計）人: 張衛;王津豐;榮建海;王源;尹春燕
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第九研究所
• 主分類號: H05K9/00
• 分類號: H05K9/00
• 代理公司: 綿陽市博圖知識產權代理事務所(普通合伙) 51235
• 代理人: 黎仲

本發明公開了一種YIG濾波器抗輻射附加屏蔽結構，屬于電子元器件抗輻射加固技術領域，包括上下對稱的上屏蔽筒體和下屏蔽筒體，所述上屏蔽筒體和下屏蔽筒體的底部相同位置均設置有底部通孔，所述上屏蔽筒體和下屏蔽筒體相接的側壁設置有側壁槽口，所述上屏蔽筒體和下屏蔽筒體的側壁還設置有側壁通孔；本發明還公開了帶有有該附加屏蔽結構的濾波器；本發明提供了一種YIG濾波器抗輻射的附加屏蔽結構，有益于增強YIG濾波器抗空間輻射能力，使YIG濾波器能經受更嚴酷的空間輻射而保持穩定的工作性能，延長其在空間輻射環境下的使用壽命。

技術領域

本發明涉及電子元器件抗輻射加固技術領域，尤其涉及一種YIG濾波器抗輻射附加屏蔽結構及帶有該附加屏蔽結構的濾波器。

背景技術

YIG濾波器是以微波旋磁材料（如釔鐵石榴石，YIG）為核心的器件，具有寬帶調諧、抑制度高等特點，其工作頻率可在寬頻帶（可達數個倍頻程）范圍內連續可調，主要用于微波測試、通信、雷達、電子對抗等系統。

現有的常規YIG濾波器未專門考慮抗輻射加固設計，其典型結構如圖1所示，包括上磁路1、上磁路的上極柱2、安裝于上磁路內的上驅動線圈3、下磁路4，下磁路的下極柱5、安裝于下磁路內的下驅動線圈6、YIG諧振電路7、連接器8、連接器8與YIG諧振電路7之間互聯的同軸電纜9；

YIG濾波器的磁路材料為鐵鎳合金，上述的常規YIG濾波器主要依靠自身的鐵鎳合金“自屏蔽”磁路結構起到電磁屏蔽作用，具備一定的抗輻射能力，例如質子、α粒子和重離子的穿透性差，一般不能直接穿透鐵鎳合金層而進入濾波器內部；

但是，γ射線、X射線等光子的穿透能力強，YIG濾波器的鐵鎳合金層不能有效地屏蔽；同時，質子、α粒子、重離子以及中子等會與鐵鎳合金發生作用，激發出二次輻射，如γ射線；穿過鐵鎳合金層的射線、粒子進入濾波器內部，會引起內部電路材料的位移損傷、電離總劑量等多種輻射效應，造成濾波器性能參數漂移、指標惡化、壽命縮短等影響。

發明內容

本發明的目的之一，就在于提供一種YIG濾波器抗輻射附加屏蔽結構，以解決上述問題。

為了實現上述目的，本發明采用的技術方案是這樣的：一種YIG濾波器抗輻射附加屏蔽結構，包括上下對稱的上屏蔽筒體和下屏蔽筒體，所述上屏蔽筒體和下屏蔽筒體的底部相同位置均設置有底部通孔，所述上屏蔽筒體和下屏蔽筒體相接的側壁設置有側壁槽口，所述上屏蔽筒體和下屏蔽筒體的側壁還設置有側壁通孔。

作為優選的技術方案：所述上屏蔽筒體和下屏蔽筒體均為非磁性材料。

作為優選的技術方案：所述上屏蔽筒體和/或下屏蔽筒體為單層或者多層結構。

作為進一步優選的技術方案：所述上屏蔽筒體和/或下屏蔽筒體為多層結構，不同層采用不同原子序數的非磁性材料。

YIG濾波器原有的“自屏蔽”磁路結構稱為“內建屏蔽層”，本申請新增的由上屏蔽筒體和下屏蔽筒組合而成的“屏蔽筒”稱為“附加屏蔽層”；在鐵鎳合金形成的“自屏蔽”磁路內壁與驅動線圈之間增加“屏蔽筒”，將驅動線圈、諧振電路等包圍在其內部；

制作“屏蔽筒”的材料必須是非磁性材料，如鉛、鉬銅合金、鋁等；

根據不同的設計目標，“屏蔽筒”可以采用單層結構，也可以采用不同材料組成多層結構，以提升屏蔽效能；采用多層的“套娃”結構時，不同層采用不同原子序數（Z）的非磁性材料，一般采用高Z與低Z元素材料組合，或采用合金。采用多層屏蔽結構是否能達到好的效果還與采用的材料及其組合順序有關，對此后面的實施例1和2的對比可以對此進行進一步的解釋說明。