[發明專利]一種YIG濾波器抗輻射附加屏蔽結構及帶有該附加屏蔽結構的濾波器

在審

• 申請號: 202010772164.1
• 申請日: 2020-08-04
• 公開（公告）號: CN111787778A
• 公開（公告）日: 2020-10-16
• 發明（設計）人: 張衛;王津豐;榮建海;王源;尹春燕
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第九研究所
• 主分類號: H05K9/00
• 分類號: H05K9/00
• 代理公司: 綿陽市博圖知識產權代理事務所(普通合伙) 51235
• 代理人: 黎仲

1.一種YIG濾波器抗輻射附加屏蔽結構，其特征在于：包括上下對稱的上屏蔽筒體和下屏蔽筒體，所述上屏蔽筒體和下屏蔽筒體的底部相同位置均設置有底部通孔，所述上屏蔽筒體和下屏蔽筒體相接的側壁設置有側壁槽口，所述上屏蔽筒體和下屏蔽筒體的側壁還設置有側壁通孔。

2.根據權利要求1所述的YIG濾波器抗輻射附加屏蔽結構，其特征在于：所述上屏蔽筒體和下屏蔽筒體均為非磁性材料。

3.根據權利要求1所述的YIG濾波器抗輻射附加屏蔽結構，其特征在于：所述上屏蔽筒體和/或下屏蔽筒體為單層或者多層結構。

4.根據權利要求3所述的YIG濾波器抗輻射附加屏蔽結構，其特征在于：所述上屏蔽筒體和/或下屏蔽筒體為多層結構，不同層采用不同原子序數的非磁性材料。

5.一種YIG濾波器，包括上磁路、上磁路的上極柱、安裝于上磁路內的上驅動線圈、下磁路，下磁路的下極柱、安裝于下磁路內的下驅動線圈、YIG諧振電路、連接器、連接器與YIG諧振電路之間互聯的同軸電纜，其特征在于：還包括權利要求1-4任意一項所述的抗輻射附加屏蔽結構，其中，所述上驅動線圈、下驅動線圈和YIG諧振電路均位于所述上屏蔽筒體和下屏蔽筒體所圍成的抗輻射附加屏蔽結構內部，所述上極柱、下極柱均穿過所述底部通孔，所述同軸電纜穿過所述側壁槽口，所述上驅動線圈和下驅動線圈端子穿過所述側壁通孔。