[發(fā)明專利]基板的偏心降低方法及示教裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010771262.3 | 申請日: | 2020-08-04 |
| 公開(公告)號: | CN112397407A | 公開(公告)日: | 2021-02-23 |
| 發(fā)明(設計)人: | 猶原英司;增井達哉 | 申請(專利權)人: | 株式會社斯庫林集團 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;H01L21/67;G01B11/27 |
| 代理公司: | 隆天知識產(chǎn)權代理有限公司 72003 | 代理人: | 金輝;崔炳哲 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 偏心 降低 方法 裝置 | ||
本發(fā)明提供一種能夠避開缺口測量基板周邊的位置,并高精度地降低基板的偏心量的技術。在第一工序中使基板(W)旋轉。在第二工序中,攝像頭依次拍攝基板的周邊,獲取多個圖像(IM1)。在第三工序中,針對多個圖像執(zhí)行缺口檢測處理。在第四工序中,將在多個圖像內(nèi)沿著第一軸延伸的測量區(qū)域(MR1)在第二軸上的位置設定為:測量區(qū)域在多個圖像的任一個中均不包含缺口(NT1)而包含基板的周邊。在第五工序中,針對包含基板的旋轉位置和測量區(qū)域中的基板的周邊的位置的繪圖點,進行曲線插值處理求出正弦波。在第六工序中,根據(jù)該正弦波求出以缺口的位置為基準的基板的偏心。在第七工序中使基板移動,以降低基板的偏心。
技術領域
本申請涉及一種基板的偏心降低方法及示教裝置。
背景技術
以往,在將圓板狀基板以水平姿勢保持并使該基板在水平面內(nèi)旋轉的基板保持機構中,提及一種測量基板偏心的技術(例如,專利文獻1)。在專利文獻1中,以俯視時與基板周邊交叉的方式設置線性傳感器。線性傳感器在基板旋轉過程中針對每個規(guī)定的旋轉角度測量該延伸方向上的基板周邊的位置,并向控制部輸出該測量值。線性傳感器例如針對基板的每次旋轉測量基板周邊的位置。
基板旋轉一圈的過程中,通過線性傳感器測量到的測量值組(測量波形)呈與基板的偏心對應的正弦形狀。但是,在專利文獻1中,因為在基板的周邊形成有缺口,所以,測量波形在與缺口對應的位置偏離正弦形狀。控制部利用測量波形中與缺口對應的測量值之外的測量值來計算基板的偏心量(偏置量)。
專利文獻1:日本特開2015-211205號公報
但是,在專利文獻1中,因為線性傳感器針對每次旋轉來測量基板的周邊,所以,該測量波形包含有與缺口對應的凹部。因為該凹部不能用于計算基板的偏心量,所以,這樣的測量是無用的。
另外,線性傳感器相對于基板的設置位置能夠隨著時間變化等而變動。由此,若要以線性傳感器的位置為基準降低基板的偏心量,則不能夠高精度地降低基板的偏心量。
發(fā)明內(nèi)容
因此,本申請的目的在于提供一種能夠避開缺口地測量基板周邊的位置,并能夠高精度地降低基板的偏心量的技術。
基板的偏心降低方法的第一方式包括:第一工序,將周邊具有缺口的基板保持為水平,并使所述基板圍繞沿鉛垂方向的旋轉軸旋轉;第二工序,攝像頭在所述基板的旋轉過程中依次拍攝所述基板的所述周邊,獲取多個包括相互垂直的第一軸和第二軸的二維圖像,所述攝像頭在鉛垂方向上與所述基板的所述周邊相向;第三工序,在多個所述圖像的每一個圖像中執(zhí)行用于檢測所述基板的所述缺口的缺口檢測處理;第四工序,將沿著在多個所述圖像內(nèi),所述第一軸延伸的測量區(qū)域在所述第二軸上的位置設定為,所述測量區(qū)域在多個所述圖像的任一個中均不包含所述缺口而包含所述基板的所述周邊;第五工序,針對繪圖點進行曲線插值處理并求出正弦波,所述繪圖點包括獲取到多個所述圖像中的每一個圖像時的所述基板的各個旋轉位置、以及多個所述圖像中的每一個圖像的所述測量區(qū)域中的所述基板的所述周邊在所述第一軸上的位置;第六工序,根據(jù)通過所述第五工序求出的所述正弦波,求出以所述缺口的位置為基準的所述基板的偏心;以及第七工序,以所述缺口的所述位置為基準使所述基板移動,以降低通過所述第六工序求出的所述基板的偏心。
基板的偏心降低方法的第二方式,其中,在所述第二工序中,所述攝像頭對每個第一旋轉角度拍攝所述基板的所述周邊;在所述第四工序中,在包含從所述缺口偏離第二旋轉角度的區(qū)域的位置上設定所述測量區(qū)域,所述缺口包含于多個所述圖像的一個中,所述第二旋轉角度比所述第一旋轉角度更小。
基板的偏心降低方法的第三方式,其中,所述測量區(qū)域的在所述第二軸上的像素數(shù)為兩個以上,若將在所述測量區(qū)域中沿所述第一軸排列的多個像素稱作像素行,則在所述第三工序中,將所述測量區(qū)域內(nèi)的多個像素行中的所述基板的所述周邊的位置平均化,求出所述測量區(qū)域內(nèi)的所述基板的所述周邊的位置。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于株式會社斯庫林集團,未經(jīng)株式會社斯庫林集團許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010771262.3/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





