[發(fā)明專利]一種集成式LED芯片模組及其制作、測(cè)試、切割方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010771244.5
• 申請(qǐng)日: 2020-08-04
• 公開（公告）號(hào): CN111883552B
• 公開（公告）日: 2023-09-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曲曉東;陳凱軒;林志偉;趙斌;楊克偉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廈門乾照光電股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/15
• 分類號(hào): H01L27/15;H01L21/78;H01L21/66
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種集成式LED芯片模組，其特征在于，包括：基板、若干個(gè)LED陣列單元、絕緣層、與所述LED陣列單元對(duì)應(yīng)的若干個(gè)子電極及電極引線，以及用于外部電互連的第一接觸電極；

所述LED陣列單元通過交叉溝槽隔離形成于所述基板表面；所述絕緣層覆蓋所有所述LED陣列單元及溝槽，且所述絕緣層具有裸露各所述LED陣列單元表面的缺口；所述電極引線平鋪于所述溝槽上方且相互間隔設(shè)置，并通過所述絕緣層與所述LED陣列單元和/或基板隔離設(shè)置；所述子電極沉積于所述缺口并延伸至所述絕緣層的表面與所述電極引線形成電連接；

以單排所述LED陣列單元為基準(zhǔn)，在所述電極引線的延伸方向上設(shè)有通過溝槽隔離形成的n個(gè)LED陣列單元，則第i個(gè)LED陣列單元的電極引線上設(shè)有n-i+1個(gè)測(cè)試電極，所述測(cè)試電極沿所述延伸方向間隔分布于所述溝槽的上方，其中，i≤n，n為正整數(shù)；

所述第一接觸電極裸露于所述集成式LED芯片模組的一側(cè)邊緣，或位于所述基板背離所述LED陣列單元的一側(cè)表面；且，所述第一接觸電極直接或間接地與各所述LED陣列單元的另一半導(dǎo)體層均形成電接觸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成式LED芯片模組，其特征在于，所述溝槽包括交叉形成的水平溝槽和垂直溝槽；

則所述電極引線鋪設(shè)于所述水平溝槽，各所述測(cè)試電極位于交叉區(qū)域，且沿同一垂直溝槽的所有測(cè)試電極一一對(duì)準(zhǔn)設(shè)置；

或，所述電極引線鋪設(shè)于所述垂直溝槽，各所述測(cè)試電極位于交叉區(qū)域，且沿同一水平溝槽的所有測(cè)試電極一一對(duì)準(zhǔn)設(shè)置。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成式LED芯片模組，其特征在于，所述LED陣列單元至少包括在所述基板表面依次堆疊的第一型半導(dǎo)體層、有源區(qū)及第二型半導(dǎo)體層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的集成式LED芯片模組，其特征在于，所述LED芯片模組基于水平結(jié)構(gòu)的LED芯片所構(gòu)成，則，所述溝槽的底面位于所述第一型半導(dǎo)體層背離所述基板的一側(cè)表面，在所述溝槽上形成有所述第一接觸電極、及與所述LED陣列單元對(duì)應(yīng)的第一電極，所述第一接觸電極與所述第一電極連為一體；且，所述第一接觸電極裸露于所述集成式LED芯片模組的一側(cè)邊緣，所述第一電極通過所述絕緣層與所述電極引線隔離設(shè)置。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的集成式LED芯片模組，其特征在于，所述LED芯片模組基于垂直結(jié)構(gòu)的LED芯片所構(gòu)成，則，所述基板包括導(dǎo)電基板，所述第一接觸電極位于所述基板背離所述LED陣列單元的一側(cè)表面，且所述溝槽的底面位于所述基板的表面，所述電極引線通過所述絕緣層與基板隔離設(shè)置。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成式LED芯片模組，其特征在于，各所述電極引線相互平行設(shè)置。