[發明專利]用于腐蝕碲鎘汞表面碲化鎘CdTe薄膜的腐蝕液及腐蝕方法

有效

• 申請號: 202010770895.2
• 申請日: 2020-08-04
• 公開（公告）號: CN112592719B
• 公開（公告）日: 2022-06-28
• 發明（設計）人: 張軼;劉世光;譚振;劉震宇;孫浩
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第十一研究所
• 主分類號: C09K13/04
• 分類號: C09K13/04;H01L31/18
• 代理公司: 工業和信息化部電子專利中心 11010
• 代理人: 羅丹

本發明公開了一種用于腐蝕碲鎘汞表面碲化鎘CdTe薄膜的腐蝕液及腐蝕方法。用于腐蝕碲鎘汞表面碲化鎘CdTe薄膜的腐蝕液，包括：作為溶劑的水H2O、以及溶于所述H2O的溶質，溶質包括碘化鈉NaI和氯化氫HCl。采用本發明，腐蝕液可以與CdTe在常溫下發生化學反應，實現對碲鎘汞表面的CdTe薄膜的常溫腐蝕，整個反應過程速率慢、且無發熱，可以實現對腐蝕度的精確控制，腐蝕液的配置簡單且成分便宜、容易獲取，大大降低了腐蝕成本，而且腐蝕后也容易清洗。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，尤其涉及一種用于腐蝕碲鎘汞表面碲化鎘CdTe薄膜的腐蝕液及腐蝕方法。

背景技術

紅外焦平面探測技術具有光譜響應波段寬、可獲得更多地面目標信息、能晝夜工作等顯著優點，廣泛應用于農牧業、森林資源的調查、開發和管理、氣象預報、地熱分布、地震、火山活動，太空天文探測等領域。

碲鎘汞紅外探測器是紅外探測技術的代表產品之一，探測器制備過程中首先需要在碲鎘汞材料表面生長一層CdTe薄膜將碲鎘汞材料與外部環境隔離并起到絕緣作用，然后再根據后續工藝需要在特定位置將碲鎘汞材料表面的CdTe膜層通過濕法腐蝕的工藝去除。但是，在實際操作過程中，濕法腐蝕CdTe膜層工藝通常存在腐蝕速率過快、需要冰浴、生成大量氣體，影響腐蝕均勻性等問題。

發明內容

本發明實施例提供一種用于腐蝕碲鎘汞表面碲化鎘CdTe薄膜的腐蝕液及腐蝕方法，用以解決現有技術中濕法腐蝕CdTe腐蝕均勻性差的問題。

根據本發明實施例的用于腐蝕碲鎘汞表面碲化鎘CdTe薄膜的腐蝕液，包括：作為溶劑的水H₂O、以及溶于所述H₂O的溶質，所述溶質包括碘化鈉NaI和氯化氫HCl。

根據本發明的一些實施例，

所述NaI的含量大于等于1克且小于等于5克；

所述HCl的含量大于等于0.1毫升且小于等于2毫升；

所述H₂O的含量大于等于50毫升且小于等于100毫升。

根據本發明的一些實施例，

所述NaI的含量為2克；

所述HCl的含量為1毫升；

所述H₂O的含量為70毫升。

根據本發明的一些實施例，

所述溶質還包括：碘溶質I₂。

根據本發明的一些實施例，

所述I₂的含量大于等于1克且小于等于10克。

根據本發明的一些實施例，

所述I₂的含量為2克。

根據本發明實施例的碲鎘汞表面碲化鎘CdTe薄膜的腐蝕方法，包括：

制備腐蝕液，所述腐蝕液為根據如上所述的用于腐蝕碲鎘汞表面碲化鎘CdTe薄膜的腐蝕液；

將表面具有CdTe薄膜的碲鎘汞放置在所述腐蝕液中靜置預設時間段后取出。

采用本發明實施例，腐蝕液可以與CdTe在常溫下發生化學反應，實現對碲鎘汞表面的CdTe薄膜的常溫腐蝕，整個反應過程速率慢、且無發熱，可以實現對腐蝕度的精確控制，腐蝕液的配置簡單且成分便宜、容易獲取，大大降低了腐蝕成本，而且腐蝕后也容易清洗。

上述說明僅是本發明技術方案的概述，為了能夠更清楚了解本發明的技術手段，而可依照說明書的內容予以實施，并且為了讓本發明的上述和其它目的、特征和優點能夠更明顯易懂，以下特舉本發明的具體實施方式。