[發明專利]用于腐蝕碲鎘汞表面碲化鎘CdTe薄膜的腐蝕液及腐蝕方法有效
| 申請號： | 202010770895.2 | 申請日： | 2020-08-04 |
| 公開（公告）號： | CN112592719B | 公開（公告）日： | 2022-06-28 |
| 發明（設計）人： | 張軼;劉世光;譚振;劉震宇;孫浩 | 申請（專利權）人： | 中國電子科技集團公司第十一研究所 |
| 主分類號： | C09K13/04 | 分類號： | C09K13/04;H01L31/18 |
| 代理公司： | 工業和信息化部電子專利中心 11010 | 代理人： | 羅丹 |
| 地址： | 100015*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 腐蝕 碲鎘汞 表面 碲化鎘 cdte 薄膜 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種碲鎘汞表面碲化鎘CdTe薄膜的腐蝕方法，其特征在于，包括：
制備腐蝕液，所述腐蝕液有且僅有：作為溶劑的水H2O、以及溶于所述H2O的溶質，所述溶質有且僅有碘化鈉NaI和氯化氫HCl；
將表面具有CdTe薄膜的碲鎘汞放置在所述腐蝕液中靜置預設時間段后取出。
2.根據權利要求1所述的碲鎘汞表面碲化鎘CdTe薄膜的腐蝕方法，其特征在于，所述NaI的含量大于等于1克且小于等于5克；
所述HCl的含量大于等于0.1毫升且小于等于2毫升；
所述H2O的含量大于等于50毫升且小于等于100毫升。
3.根據權利要求2所述的碲鎘汞表面碲化鎘CdTe薄膜的腐蝕方法，其特征在于，所述NaI的含量為2克；
所述HCl的含量為1毫升；
所述H2O的含量為70毫升。
4.根據權利要求3所述的碲鎘汞表面碲化鎘CdTe薄膜的腐蝕方法，其特征在于，所述溶質還包括：碘溶質I2。
5.根據權利要求4所述的碲鎘汞表面碲化鎘CdTe薄膜的腐蝕方法，其特征在于，所述I2的含量大于等于1克且小于等于10克。
6.根據權利要求5所述的碲鎘汞表面碲化鎘CdTe薄膜的腐蝕方法，其特征在于，所述I2的含量為2克。
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