[發(fā)明專利]一種臭氧化堿拋光SE—PERC太陽能電池制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010767827.0 | 申請日: | 2020-08-03 |
| 公開(公告)號: | CN111883618A | 公開(公告)日: | 2020-11-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 韓超;王森棟;趙晨;戴大洲 | 申請(專利權(quán))人: | 山西潞安太陽能科技有限責(zé)任公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/068 |
| 代理公司: | 太原市科瑞達(dá)專利代理有限公司 14101 | 代理人: | 李富元 |
| 地址: | 046000 山*** | 國省代碼: | 山西;14 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 臭氧 拋光 se perc 太陽能電池 制備 方法 | ||
本發(fā)明涉及太陽能電池制備領(lǐng)域,一種臭氧化堿拋光SE—PERC太陽能電池制備方法,制備過程中,嚴(yán)格按制絨、擴散、正面重?fù)诫s、臭氧化、背面去PSG、堿拋光、正面氧化、正面沉積氮化硅膜、背面沉積鈍化膜、背面激光開孔、電極印刷、高溫?zé)Y(jié)、電注入的工藝步驟進(jìn)行,其中,臭氧化步驟中,在常溫下,在正面重?fù)诫s區(qū)用臭氧進(jìn)行氧化,形成1.0?4.0nm致密的二氧化硅保護層,本發(fā)明通過采用臭氧化和堿拋光結(jié)合,有效防止了在傳統(tǒng)堿拋光過程中表面磷松落導(dǎo)致的方阻上升問題,防止了電極印刷后銀硅接觸差,降低電池轉(zhuǎn)化效率的問題。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及太陽能電池制備領(lǐng)域,特別是SE—PERC太陽能電池制備領(lǐng)域。
背景技術(shù)
SE-PERC太陽能電池是目前市場上最流行的高效電池之一,其將正面激光重?fù)诫s技術(shù)(SE)與局部接觸背鈍化技術(shù)(PERC)相結(jié)合,大大提升了太陽能電池的效率。SE-PERC太陽能電池從下往上依次包括背電極、背電場、SiNx/SiNxOx疊層、P型硅、N++層、N+層、氧化硅、氮化硅和正電極,N++層通過正面激光推進(jìn)磷硅玻璃(PSG)中的磷實現(xiàn)?,F(xiàn)有的SE-PERC電池的制備方法主要為酸刻蝕制備法,其制備流程為:制絨-擴散-正面激光-酸法刻蝕拋光+去PSG-退火-背面沉積鈍化膜-沉積減反膜-背面激光開孔-背電極、背電場和正電極印刷-高溫?zé)Y(jié)。在SE-PERC電池的制備過程中,酸法拋光雖然流程簡單,但其被反射率低,光投射損失大,轉(zhuǎn)化效率低。
另外研究發(fā)現(xiàn)SE-PERC太陽能電池制備過程中,硅片重?fù)诫s區(qū)域方阻及與未摻雜區(qū)域方阻差值會與后續(xù)氧化后形成的二氧化硅保護層具有相關(guān)性,需要協(xié)調(diào)選擇,還發(fā)現(xiàn)正面沉積氮化硅膜、背面沉積鈍化膜與氧化后形成的二氧化硅保護層具有相關(guān)性,需要協(xié)調(diào)選擇。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是:如何進(jìn)一步提高SE—PERC太陽能電池轉(zhuǎn)化效率。
本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是:一種臭氧化堿拋光SE—PERC太陽能電池制備方法,制備過程中,嚴(yán)格按制絨、擴散、正面重?fù)诫s、臭氧化、背面去PSG、堿拋光、正面氧化、正面沉積氮化硅膜、背面沉積鈍化膜、背面激光開孔、電極印刷、高溫?zé)Y(jié)、電注入的工藝步驟進(jìn)行,其中,臭氧化步驟中,在常溫下,在正面重?fù)诫s區(qū)用臭氧進(jìn)行氧化,形成1.0-4.0nm致密的二氧化硅保護層,擴散采用磷擴散,磷擴散后硅片方阻為100-170Ω/sq。正面重?fù)诫s中,硅片重?fù)诫s區(qū)域方阻與未摻雜區(qū)域方阻差值為30-70Ω/sq。堿拋光中,使用背面堿拋光后,每平米減重3-11g;拋光后硅片背面反射率35-45%。正面沉積氮化硅膜后,氮化硅膜厚度60-90nm,折射率1.5-3.0。背面沉積鈍化膜時,鈍化膜為氮氧化硅+氮化硅膜,厚度在80-160nm。
本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明通過采用臭氧化和堿拋光結(jié)合,有效防止了在傳統(tǒng)堿拋光過程中表面磷松落導(dǎo)致的方阻上升問題,防止了電極印刷后銀硅接觸差,降低電池轉(zhuǎn)化效率的問題。另外通過協(xié)調(diào)正面重?fù)诫s后,硅片重?fù)诫s區(qū)域方阻及與未摻雜區(qū)域方阻差值以及正面沉積氮化硅膜厚度、背面沉積鈍化膜材料和選擇,進(jìn)一步提高了電池轉(zhuǎn)化效率。
具體實施方式
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于提供一種高效率SE-PERC太陽能電池的制備方法,其可有效提升太陽能電池背反射率,同時不影響正面方阻;有效提升太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率。
本發(fā)明還要解決的技術(shù)問題在于,提供一種新型臭氧化堿拋光SE—PERC太陽能電池制備方法,使其轉(zhuǎn)化效率提高。
為了解決上述技術(shù)問題,達(dá)到相應(yīng)的技術(shù)效果,本發(fā)明提供了一種新型臭氧化堿拋光SE—PERC太陽能電池制備方法,依次包括:
在硅片雙面形成絨面;
在硅片表面進(jìn)行磷擴散;磷擴散后硅片方阻為100-170Ω/sq。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于山西潞安太陽能科技有限責(zé)任公司,未經(jīng)山西潞安太陽能科技有限責(zé)任公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010767827.0/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





