[發明專利]一種臭氧化堿拋光SE—PERC太陽能電池制備方法

在審

• 申請號: 202010767827.0
• 申請日: 2020-08-03
• 公開（公告）號: CN111883618A
• 公開（公告）日: 2020-11-03
• 發明（設計）人: 韓超;王森棟;趙晨;戴大洲
• 申請（專利權）人: 山西潞安太陽能科技有限責任公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/068
• 代理公司: 太原市科瑞達專利代理有限公司 14101
• 代理人: 李富元

1.一種臭氧化堿拋光SE—PERC太陽能電池制備方法，其特征在于：按制絨、擴散、正面重摻雜、臭氧化、背面去PSG、堿拋光、正面氧化、正面沉積氮化硅膜、背面沉積鈍化膜、背面激光開孔、電極印刷、高溫燒結、電注入的工藝步驟進行，其中，臭氧化步驟中，在常溫下，在正面重摻雜區用臭氧進行氧化，形成1.0-4.0nm致密的二氧化硅保護層。

2.根據權利要求1所述的一種臭氧化堿拋光SE—PERC太陽能電池制備方法，其特征在于：擴散采用磷擴散，磷擴散后硅片方阻為100-170Ω/sq。

3.根據權利要求1所述的一種臭氧化堿拋光SE—PERC太陽能電池制備方法，其特征在于：正面重摻雜中，硅片重摻雜區域方阻與未摻雜區域方阻差值為30-70Ω/sq。

4.根據權利要求1所述的一種臭氧化堿拋光SE—PERC太陽能電池制備方法，其特征在于：堿拋光中，使用背面堿拋光后，每平米減重3-11g；拋光后硅片背面反射率35-45%。

5.根據權利要求1所述的一種臭氧化堿拋光SE—PERC太陽能電池制備方法，其特征在于：正面沉積氮化硅膜后，氮化硅膜厚度60-90nm，折射率1.5-3.0。

6.根據權利要求1所述的一種臭氧化堿拋光SE—PERC太陽能電池制備方法，其特征在于：背面沉積鈍化膜時，鈍化膜為氮氧化硅+氮化硅膜，厚度在80-160nm。