[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010767243.3
• 申請(qǐng)日: 2020-08-03
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114068543A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-02-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐亞超
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/108
• 分類號(hào): H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 上海盈盛知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31294
• 代理人: 孫佳胤

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

襯底；

有源區(qū)，位于所述襯底中；

柵極溝槽，與所述有源區(qū)相交并將所述有源區(qū)劃分為至少一個(gè)源區(qū)和兩個(gè)漏區(qū)，所述源區(qū)包括第一摻雜區(qū)和所述第一摻雜區(qū)下方的第一延伸摻雜區(qū)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一延伸摻雜區(qū)的側(cè)面不與所述柵極溝槽的側(cè)面接觸，所述第一延伸摻雜區(qū)的橫向尺寸小于所述第一摻雜區(qū)的橫向尺寸。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一延伸摻雜區(qū)位于所述第一摻雜區(qū)中部的下方。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一延伸摻雜區(qū)的橫向尺寸小于所述第一摻雜區(qū)的橫向尺寸的1/3。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一摻雜區(qū)與所述第一延伸摻雜區(qū)均為軸對(duì)稱結(jié)構(gòu)，且所述第一摻雜區(qū)與所述第一延伸摻雜區(qū)的對(duì)稱軸重合。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一延伸摻雜區(qū)在所述襯底中的深度大于所述柵極溝槽在所述襯底中的深度。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：

第二摻雜區(qū)，所述第二摻雜區(qū)為所述有源區(qū)中除所述源區(qū)和所述漏區(qū)之外的區(qū)域，所述第二摻雜區(qū)摻雜有第二類型離子；

所述第一摻雜區(qū)和所述第一延伸摻雜區(qū)摻雜有第一類型離子；

所述第一類型離子不同于所述第二類型離子。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一類型離子包括P型離子和N型離子中的一種，所述第二類型離子包括P型離子或N型離子中的另一種。

9.根據(jù)權(quán)利要求1-8任一所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述漏區(qū)包括第三摻雜區(qū)和所述第三摻雜區(qū)下方的第二延伸摻雜區(qū)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：

字線，位于所述柵極溝槽中。

11.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：

提供襯底；

在所述襯底中形成隔離結(jié)構(gòu)以限定有源區(qū)；

形成交叉所述有源區(qū)的至少兩個(gè)柵極溝槽；

在所述柵極溝槽之間的所述有源區(qū)中形成第一摻雜區(qū)和所述第一摻雜區(qū)下方的第一延伸摻雜區(qū)。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述在所述柵極溝槽之間的所述有源區(qū)中形成第一摻雜區(qū)和所述第一摻雜區(qū)下方的第一延伸摻雜區(qū)的步驟，包括：

在所述襯底上形成具有開(kāi)口的掩膜層，所述開(kāi)口位于所述柵極溝槽之間的所述有源區(qū)的上方；

利用所述開(kāi)口向所述有源區(qū)內(nèi)注入第一類型離子，形成所述第一摻雜區(qū)；

在所述開(kāi)口側(cè)壁上形成側(cè)壁層；

利用具有所述側(cè)壁層的開(kāi)口向所述有源區(qū)內(nèi)注入第一類型離子，形成所述第一延伸摻雜區(qū)。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述側(cè)壁層的厚度不小于所述開(kāi)口尺寸的1/3。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第一延伸摻雜區(qū)在所述襯底中的深度大于所述柵極溝槽在所述襯底中的深度。

15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，在所述襯底中形成隔離結(jié)構(gòu)以限定有源區(qū)之后還包括；

對(duì)所述有源區(qū)進(jìn)行第二類型離子摻雜；所述第二類型離子與所述第一類型離子類型不同。