[發(fā)明專利]基片處理系統(tǒng)中的輸送方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010766400.9
• 申請日: 2020-08-03
• 公開（公告）號: CN112397369A
• 公開（公告）日: 2021-02-23
• 發(fā)明（設計）人: 茂山和基;永關一也
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會社
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/3065;H01L21/67;H01L21/677;H01L21/68
• 代理公司: 北京尚誠知識產(chǎn)權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;劉芃茜

1.一種基片處理系統(tǒng)中的輸送方法，其特征在于，包括：

將能夠載置半導體基片和邊緣環(huán)的托盤送入設置有載置臺的載置室的托盤送入步驟；

測量載置于所述托盤的所述邊緣環(huán)的位置來獲取所述邊緣環(huán)的位置信息的測量步驟；

基于所述位置信息調(diào)節(jié)所述半導體基片的位置的調(diào)節(jié)步驟；

將位置調(diào)節(jié)后的所述半導體基片載置在所述托盤的基片載置步驟；以及

將載置有所述半導體基片和所述邊緣環(huán)的所述托盤從所述載置室送出的托盤送出步驟。

2.如權利要求1所述的輸送方法，其特征在于，還包括：

所述托盤包括：導電性的托盤主體；和形成于所述托盤主體的至少上表面的電介質(zhì)膜，

所述輸送方法還包括吸附步驟，所述吸附步驟在所述基片載置步驟與所述托盤送出步驟之間，對所述托盤主體施加電壓以將所述半導體基片靜電吸附到所述托盤。

3.如權利要求2所述的輸送方法，其特征在于：

所述吸附步驟中的所述電壓的施加，是利用將所述托盤載置在所述載置臺的第1升降銷進行的。

4.如權利要求3所述的輸送方法，其特征在于：

所述吸附步驟包括：

使所述第1升降銷與所述托盤主體的背面接觸的接觸步驟；和

對所述第1升降銷施加電壓的電壓施加步驟。

5.如權利要求2所述的輸送方法，其特征在于：

所述吸附步驟包括用與所述載置臺連接的RF電源生成等離子體的等離子體生成步驟。

6.如權利要求2所述的輸送方法，其特征在于：

所述吸附步驟中的所述電壓的施加，是利用設置于所述載置臺的導通端子進行的。

7.如權利要求1所述的輸送方法，其特征在于：

所述載置室與設置有第1輸送機構的大氣輸送室連接。

8.如權利要求1所述的輸送方法，其特征在于：

所述位置信息包含所述邊緣環(huán)的旋轉角度信息和所述邊緣環(huán)的水平位置信息。

9.如權利要求8所述的輸送方法，其特征在于：

還包括用第1輸送機構將所述半導體基片輸送到所述載置臺的上方的基片輸送步驟，

在所述基片輸送步驟前實施的所述調(diào)節(jié)步驟中，基于所述旋轉角度信息使所述半導體基片旋轉。

10.如權利要求8所述的輸送方法，其特征在于：

還包括用第1輸送機構將所述半導體基片輸送到所述載置臺的上方的基片輸送步驟，

在所述基片輸送步驟前實施的所述調(diào)節(jié)步驟中，基于所述水平位置信息調(diào)節(jié)所述半導體基片的水平位置。

11.如權利要求8所述的輸送方法，其特征在于：

還包括用第1輸送機構將所述半導體基片輸送到所述載置臺的上方的基片輸送步驟，

在所述基片輸送步驟中，基于所述水平位置信息，用所述第1輸送機構將所述半導體基片輸送到所述載置臺的上方。

12.如權利要求7所述的輸送方法，其特征在于：

所述基片載置步驟包括：

通過使第2升降銷上升以使所述半導體基片從所述第1輸送機構離開的基片上升步驟；和

通過使所述第2升降銷下降以將所述半導體基片載置在所述托盤的基片下降步驟。

13.如權利要求12所述的輸送方法，其特征在于：

所述第2升降銷接地，在所述基片上升步驟中進行所述半導體基片的除電。

14.如權利要求7所述的輸送方法，其特征在于：

在所述托盤送入步驟中，所述托盤由所述第1輸送機構送入所述載置室內(nèi)。